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氮分压对氮化铜薄膜结构及光学带隙的影响

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肖剑荣, 徐慧, 李燕峰, 李明君. 2007: 氮分压对氮化铜薄膜结构及光学带隙的影响, 物理学报, 56(7): 4169-4174. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.088
引用本文: 肖剑荣, 徐慧, 李燕峰, 李明君. 2007: 氮分压对氮化铜薄膜结构及光学带隙的影响, 物理学报, 56(7): 4169-4174. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.088
shu
Xiao Jian-Rong, Xu Hui, Li Yan-Feng, Li Ming-Jun. 2007: Effect of nitrogen pressure on structure and optical band gap of copper nitride thin films, Acta Physica Sinica, 56(7): 4169-4174. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.088
Citation: Xiao Jian-Rong, Xu Hui, Li Yan-Feng, Li Ming-Jun. 2007: Effect of nitrogen pressure on structure and optical band gap of copper nitride thin films, Acta Physica Sinica, 56(7): 4169-4174. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.088
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氮分压对氮化铜薄膜结构及光学带隙的影响

  • 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083;桂林工学院数理系,桂林,541004

  • 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083

Effect of nitrogen pressure on structure and optical band gap of copper nitride thin films

  • 摘要: 在不同的氮分压r(r=N2/[N2+Ar])和射频功率P下,使用反应射频磁控溅射法,在玻璃基片上制备了氮化铜薄膜样品.用台阶仪测得了薄膜的厚度,用原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外.可见光谱仪对薄膜的表面形貌、结构及光学性质进行了表征分析.结果表明,薄膜的沉积速率随P和r的增加而增大.薄膜表面致密均匀,晶粒尺寸为30 nm左右.随着r的增加,薄膜颗粒增大,且薄膜由(111)晶面转向(100)晶面择优生长.薄膜的光学带隙Eg在1.47-1.82 eV之间,随r的增加而增大.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-07-30

氮分压对氮化铜薄膜结构及光学带隙的影响

  • 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083;桂林工学院数理系,桂林,541004
  • 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083

摘要: 在不同的氮分压r(r=N2/[N2+Ar])和射频功率P下,使用反应射频磁控溅射法,在玻璃基片上制备了氮化铜薄膜样品.用台阶仪测得了薄膜的厚度,用原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外.可见光谱仪对薄膜的表面形貌、结构及光学性质进行了表征分析.结果表明,薄膜的沉积速率随P和r的增加而增大.薄膜表面致密均匀,晶粒尺寸为30 nm左右.随着r的增加,薄膜颗粒增大,且薄膜由(111)晶面转向(100)晶面择优生长.薄膜的光学带隙Eg在1.47-1.82 eV之间,随r的增加而增大.

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