高级搜索

关于MgB2/Al2O3超导薄膜电阻转变和各向异性的研究

,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

史力斌, 任骏原, 张凤云, 张国华, 余增强. 2007: 关于MgB2/Al2O3超导薄膜电阻转变和各向异性的研究, 物理学报, 56(9): 5353-5358. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.061
引用本文: 史力斌, 任骏原, 张凤云, 张国华, 余增强. 2007: 关于MgB2/Al2O3超导薄膜电阻转变和各向异性的研究, 物理学报, 56(9): 5353-5358. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.061
shu
Shi Li-Bin, Ren Jun-Yuan, Zhang Feng-Yun, Zhang Guo-Hua, Yu Zeng-Qiang. 2007: A study on resistive transition and anisotropy of MgB2/Al2O3 superconducting thin films, Acta Physica Sinica, 56(9): 5353-5358. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.061
Citation: Shi Li-Bin, Ren Jun-Yuan, Zhang Feng-Yun, Zhang Guo-Hua, Yu Zeng-Qiang. 2007: A study on resistive transition and anisotropy of MgB2/Al2O3 superconducting thin films, Acta Physica Sinica, 56(9): 5353-5358. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.061
shu

关于MgB2/Al2O3超导薄膜电阻转变和各向异性的研究

  • 渤海大学物理系,锦州,121000

  • 北京科技大学应用科学学院物理系,北京,100083

  • 北京大学物理学院,北京,100871

A study on resistive transition and anisotropy of MgB2/Al2O3 superconducting thin films

  • 摘要: 利用电子束蒸发方法将MgB2超导薄膜沉积到Al2O3(001)衬底上.采用标准的四引线法研究了磁场平行和垂直超导薄膜ab平面下的电阻转变.一个激活能模型 U(T,H)= U0(1-T/(Tc+δ))n (1-H/Hc2(0))m被建立用来分析超导薄膜磁通线的激活能和电阻转变,结果表明该模型能够在整个转变温度范围描述超导体磁通线的激活能和电阻转变.另外,利用多项式Hc2(t)=Hc2(0)+At+Bt2分析了MgB2/Al2O3超导薄膜的上临界磁场,获得了该超导薄膜的各向异性参数γ=Hc2ab(0)/Hc2c(0)= 2.26.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  414
  • HTML全文浏览数:  97
  • PDF下载数:  10
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2007-09-30

关于MgB2/Al2O3超导薄膜电阻转变和各向异性的研究

  • 渤海大学物理系,锦州,121000
  • 北京科技大学应用科学学院物理系,北京,100083
  • 北京大学物理学院,北京,100871

摘要: 利用电子束蒸发方法将MgB2超导薄膜沉积到Al2O3(001)衬底上.采用标准的四引线法研究了磁场平行和垂直超导薄膜ab平面下的电阻转变.一个激活能模型 U(T,H)= U0(1-T/(Tc+δ))n (1-H/Hc2(0))m被建立用来分析超导薄膜磁通线的激活能和电阻转变,结果表明该模型能够在整个转变温度范围描述超导体磁通线的激活能和电阻转变.另外,利用多项式Hc2(t)=Hc2(0)+At+Bt2分析了MgB2/Al2O3超导薄膜的上临界磁场,获得了该超导薄膜的各向异性参数γ=Hc2ab(0)/Hc2c(0)= 2.26.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回