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InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算

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杨晓杰, 王青, 马文全, 陈良惠. 2007: InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算, 物理学报, 56(9): 5429-5435. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.074
引用本文: 杨晓杰, 王青, 马文全, 陈良惠. 2007: InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算, 物理学报, 56(9): 5429-5435. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.074
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Yang Xiao-Jie, Wang Qing, Ma Wen-Quan, Chen Liang-Hui. 2007: Calculation of energy levels in InGaAs/GaAs quantum dot array, Acta Physica Sinica, 56(9): 5429-5435. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.074
Citation: Yang Xiao-Jie, Wang Qing, Ma Wen-Quan, Chen Liang-Hui. 2007: Calculation of energy levels in InGaAs/GaAs quantum dot array, Acta Physica Sinica, 56(9): 5429-5435. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.074
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InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算

  • 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室,北京,100083

Calculation of energy levels in InGaAs/GaAs quantum dot array

  • 摘要: 根据八带k·p理论,在三维InGaAs/GaAs量子点阵列中求解kx=ky=kz=0 处的有效质量哈密顿H0的本征值,得到InGaAs量子点中导带中电子基态EC1,第一激发态EC2和重空穴态EHH1的能级.随着In组分从30%增加100%,InGaAs量子点中EC2到EC1的带内跃迁波长从18.50 μm 蓝移到11.87 μm,而EC1到EHH1的跃迁波长则从1.04 μm红移到1.73 μm;随着量子点高度从1.0 nm增加到 5.0 nm,In0.5Ga0.5As和InAs量子点中EC1到EC2的带内跃迁都从束缚态-连续态型转换到束缚态-束缚态型,对应于两种量子点的带内跃迁波长分别从8.12 μm (5.90 μm)红移到 53.47 μm(31.87 μm),两种量子点中EC1到EHH1的跃迁波长分别从1.13 μm(1.60 μm)红移到1.27 μm(2.01 μm).
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出版历程

InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算

  • 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室,北京,100083

摘要: 根据八带k·p理论,在三维InGaAs/GaAs量子点阵列中求解kx=ky=kz=0 处的有效质量哈密顿H0的本征值,得到InGaAs量子点中导带中电子基态EC1,第一激发态EC2和重空穴态EHH1的能级.随着In组分从30%增加100%,InGaAs量子点中EC2到EC1的带内跃迁波长从18.50 μm 蓝移到11.87 μm,而EC1到EHH1的跃迁波长则从1.04 μm红移到1.73 μm;随着量子点高度从1.0 nm增加到 5.0 nm,In0.5Ga0.5As和InAs量子点中EC1到EC2的带内跃迁都从束缚态-连续态型转换到束缚态-束缚态型,对应于两种量子点的带内跃迁波长分别从8.12 μm (5.90 μm)红移到 53.47 μm(31.87 μm),两种量子点中EC1到EHH1的跃迁波长分别从1.13 μm(1.60 μm)红移到1.27 μm(2.01 μm).

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