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MnxGe1-x稀磁半导体薄膜的结构研究

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孙玉, 孙治湖, 朱三元, 史同飞, 叶剑, 潘志云, 刘文汉, 韦世强. 2007: MnxGe1-x稀磁半导体薄膜的结构研究, 物理学报, 56(9): 5471-5475. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.081
引用本文: 孙玉, 孙治湖, 朱三元, 史同飞, 叶剑, 潘志云, 刘文汉, 韦世强. 2007: MnxGe1-x稀磁半导体薄膜的结构研究, 物理学报, 56(9): 5471-5475. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.081
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Sun Yu, Sun Zhi-Hu, Zhu San-Yuan, Shi Tong-Fei, Ye Jian, Pan Zhi-Yun, Liu Wen-Han, Wei Shi-Qiang. 2007: Structure of MnxGe1-x dilute magnetic semiconductor films, Acta Physica Sinica, 56(9): 5471-5475. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.081
Citation: Sun Yu, Sun Zhi-Hu, Zhu San-Yuan, Shi Tong-Fei, Ye Jian, Pan Zhi-Yun, Liu Wen-Han, Wei Shi-Qiang. 2007: Structure of MnxGe1-x dilute magnetic semiconductor films, Acta Physica Sinica, 56(9): 5471-5475. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.081
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MnxGe1-x稀磁半导体薄膜的结构研究

  • 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;中国科学技术大学物理系,合肥,230026

  • 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029

  • 中国科学技术大学物理系,合肥,230026

Structure of MnxGe1-x dilute magnetic semiconductor films

  • 摘要: 利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而对Mn含量较高(25.0%,36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64样品则明显出现Ge3Mn5相的衍射峰,且Ge3Mn5的比例随着Mn的含量升高而增加.XAFS结果表明,对于Mn0.07Ge0.93样品,Mn主要以替代位的形式存在,占75%左右的比例;在Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64的样品中,除了一小部分的Mn原子以替代位的形式存在之外,大部分Mn原子以Ge3Mn5化合物的形式存在.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-09-30

MnxGe1-x稀磁半导体薄膜的结构研究

  • 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;中国科学技术大学物理系,合肥,230026
  • 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029
  • 中国科学技术大学物理系,合肥,230026

摘要: 利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而对Mn含量较高(25.0%,36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64样品则明显出现Ge3Mn5相的衍射峰,且Ge3Mn5的比例随着Mn的含量升高而增加.XAFS结果表明,对于Mn0.07Ge0.93样品,Mn主要以替代位的形式存在,占75%左右的比例;在Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64的样品中,除了一小部分的Mn原子以替代位的形式存在之外,大部分Mn原子以Ge3Mn5化合物的形式存在.

English Abstract

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