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化学气相沉积法制备定向碳纳米管阵列

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韩道丽, 赵元黎, 赵海波, 宋天福, 梁二军. 2007: 化学气相沉积法制备定向碳纳米管阵列, 物理学报, 56(10): 5958-5964. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.067
引用本文: 韩道丽, 赵元黎, 赵海波, 宋天福, 梁二军. 2007: 化学气相沉积法制备定向碳纳米管阵列, 物理学报, 56(10): 5958-5964. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.067
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Han Dao-Li, Zhao Yuan-Li, Zhao Hai-Bo, Song Tian-Fu, Liang Er-Jun. 2007: Growth of well-aligned carbon nanotubes arrays by chemical vapor deposition, Acta Physica Sinica, 56(10): 5958-5964. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.067
Citation: Han Dao-Li, Zhao Yuan-Li, Zhao Hai-Bo, Song Tian-Fu, Liang Er-Jun. 2007: Growth of well-aligned carbon nanotubes arrays by chemical vapor deposition, Acta Physica Sinica, 56(10): 5958-5964. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.067
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化学气相沉积法制备定向碳纳米管阵列

  • 郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

Growth of well-aligned carbon nanotubes arrays by chemical vapor deposition

  • 摘要: 以二茂铁和二甲苯分别作为催化剂和碳源,采用一种无模板的化学气相沉积法,使用单温炉设备,成功地制备了高度定向的碳纳米管阵列.分别用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和电子能量散射谱、拉曼光谱对碳纳米管阵列进行形貌观察和表征,并研究了不同工艺参数对碳纳米管阵列形貌的影响.结果表明:在生长温度为800℃,催化剂浓度为0.02 g/mL,抛光硅片上容易获得高质量的定向碳纳米管阵列,在此优化条件下生长的定向碳纳米管的平均生长速率可达25 μm/min.
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出版历程

化学气相沉积法制备定向碳纳米管阵列

  • 郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

摘要: 以二茂铁和二甲苯分别作为催化剂和碳源,采用一种无模板的化学气相沉积法,使用单温炉设备,成功地制备了高度定向的碳纳米管阵列.分别用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和电子能量散射谱、拉曼光谱对碳纳米管阵列进行形貌观察和表征,并研究了不同工艺参数对碳纳米管阵列形貌的影响.结果表明:在生长温度为800℃,催化剂浓度为0.02 g/mL,抛光硅片上容易获得高质量的定向碳纳米管阵列,在此优化条件下生长的定向碳纳米管的平均生长速率可达25 μm/min.

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