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p型ZnO薄膜的制备及特性

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王楠, 孔春阳, 朱仁江, 秦国平, 戴特力, 南貌, 阮海波. 2007: p型ZnO薄膜的制备及特性, 物理学报, 56(10): 5974-5978. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.070
引用本文: 王楠, 孔春阳, 朱仁江, 秦国平, 戴特力, 南貌, 阮海波. 2007: p型ZnO薄膜的制备及特性, 物理学报, 56(10): 5974-5978. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.070
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Wang Nan, Kong Chun-Yang, Zhu Ren-Jiang, Qin Guo-Ping, Dai Te-Li, Nan Mao, Ruan Hai-Bo. 2007: Preparation and characteristics research of p-type ZnO films, Acta Physica Sinica, 56(10): 5974-5978. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.070
Citation: Wang Nan, Kong Chun-Yang, Zhu Ren-Jiang, Qin Guo-Ping, Dai Te-Li, Nan Mao, Ruan Hai-Bo. 2007: Preparation and characteristics research of p-type ZnO films, Acta Physica Sinica, 56(10): 5974-5978. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.070
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p型ZnO薄膜的制备及特性

  • 重庆师范大学物理学与信息技术学院,重庆,400047

Preparation and characteristics research of p-type ZnO films

  • 摘要: 采用射频磁控溅射在Si片上制备ZnO薄膜,通过离子注入对样品进行N掺杂,在不同温度下进行退火并实现了p型转变.用扫描电子显微镜、X射线衍射和Hall测量对薄膜进行了表征,结果表明薄膜具有良好的表面形貌和高度c轴择优取向,退火后p型ZnO薄膜的最高载流子浓度和最低电阻率分别为1.68×1016cm-3和41.5 Ω·cm.讨论并分析了退火温度和时间对ZnO薄膜p型转变的影响.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-10-30

p型ZnO薄膜的制备及特性

  • 重庆师范大学物理学与信息技术学院,重庆,400047

摘要: 采用射频磁控溅射在Si片上制备ZnO薄膜,通过离子注入对样品进行N掺杂,在不同温度下进行退火并实现了p型转变.用扫描电子显微镜、X射线衍射和Hall测量对薄膜进行了表征,结果表明薄膜具有良好的表面形貌和高度c轴择优取向,退火后p型ZnO薄膜的最高载流子浓度和最低电阻率分别为1.68×1016cm-3和41.5 Ω·cm.讨论并分析了退火温度和时间对ZnO薄膜p型转变的影响.

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