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电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响

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张剑铭, 邹德恕, 徐晨, 顾晓玲, 沈光地. 2007: 电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响, 物理学报, 56(10): 6003-6007. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.075
引用本文: 张剑铭, 邹德恕, 徐晨, 顾晓玲, 沈光地. 2007: 电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响, 物理学报, 56(10): 6003-6007. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.075
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Zhang Jian-Ming, Zou De-Shu, Xu Chen, Gu Xiao-Ling, Shen Guang-Di. 2007: Effects of optimized contact scheme on the performance of high-power GaN-based light-emitting diodes, Acta Physica Sinica, 56(10): 6003-6007. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.075
Citation: Zhang Jian-Ming, Zou De-Shu, Xu Chen, Gu Xiao-Ling, Shen Guang-Di. 2007: Effects of optimized contact scheme on the performance of high-power GaN-based light-emitting diodes, Acta Physica Sinica, 56(10): 6003-6007. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.075
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电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响

  • 北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京,100022

Effects of optimized contact scheme on the performance of high-power GaN-based light-emitting diodes

  • 摘要: 在台面结构的GaN基发光二极管(LED)里,电流要侧向传输,当尺寸与电流密度加大之后,由于n型GaN层和下限制层的横向电阻不能忽略,造成了横向电流分布不均匀.通过优化电极结构,以减小电流横向传输距离,制作出两种不同电极结构的大功率GaN基倒装LED.通过比较这两种不同电极结构的GaN基倒装大功率LED的电、光性能,发现在350 mA正向电流下,插指电极结构的倒装大功率GaN基LED的正向电压为3.35 V,比环形插指电极结构的倒装大功率GaN基LED高0.15 V.尽管环形插指电极结构GaN基LED的发光面积略小于插指电极结构GaN基LED,但在大电流下,环形插指电极结构倒装GaN基LED的光输出功率比插指电极结构的倒装大功率LED的光输出功率大.并且在大电流下,环形插指电极结构的倒装大功率LED光输出功率饱和速度慢,而插指电极结构的倒装大功率LED光输出功率饱和明显.这说明优化电极结构能提高电流扩展均匀性,减小焦耳热的产生,改善GaN基LED的性能.
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出版历程

电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响

  • 北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京,100022

摘要: 在台面结构的GaN基发光二极管(LED)里,电流要侧向传输,当尺寸与电流密度加大之后,由于n型GaN层和下限制层的横向电阻不能忽略,造成了横向电流分布不均匀.通过优化电极结构,以减小电流横向传输距离,制作出两种不同电极结构的大功率GaN基倒装LED.通过比较这两种不同电极结构的GaN基倒装大功率LED的电、光性能,发现在350 mA正向电流下,插指电极结构的倒装大功率GaN基LED的正向电压为3.35 V,比环形插指电极结构的倒装大功率GaN基LED高0.15 V.尽管环形插指电极结构GaN基LED的发光面积略小于插指电极结构GaN基LED,但在大电流下,环形插指电极结构倒装GaN基LED的光输出功率比插指电极结构的倒装大功率LED的光输出功率大.并且在大电流下,环形插指电极结构的倒装大功率LED光输出功率饱和速度慢,而插指电极结构的倒装大功率LED光输出功率饱和明显.这说明优化电极结构能提高电流扩展均匀性,减小焦耳热的产生,改善GaN基LED的性能.

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