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利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子

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李晓林, 柯敏, 颜波, 唐九耀, 王育竹. 2007: 利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子, 物理学报, 56(11): 6367-6372. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.034
引用本文: 李晓林, 柯敏, 颜波, 唐九耀, 王育竹. 2007: 利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子, 物理学报, 56(11): 6367-6372. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.034
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Li Xiao-Lin, Ke Min, Yan Bo, Tang Jiu-Yao, Wang Yu-Zhu. 2007: A Z-trap in an atom chip for trapping neutral 87Rb atoms, Acta Physica Sinica, 56(11): 6367-6372. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.034
Citation: Li Xiao-Lin, Ke Min, Yan Bo, Tang Jiu-Yao, Wang Yu-Zhu. 2007: A Z-trap in an atom chip for trapping neutral 87Rb atoms, Acta Physica Sinica, 56(11): 6367-6372. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.034
shu

利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子

  • 中国科学院上海光学精密机械研究所量子光学重点实验室,上海,201800;中国科学院冷原子物理中心,上海,201800

  • 浙江大学物理系,杭州,310027

A Z-trap in an atom chip for trapping neutral 87Rb atoms

  • 摘要: 利用解析和数值方法计算了Z形磁阱的囚禁势,发现当囚禁中心和芯片表面距离较远时(该距离和Z形线中部导线的一半长度相差不超过一个量级),势阱的深度不能近似表示成偏置磁场By对应的能量,而要减去囚禁中心的势能高度;而增加By进行磁阱压缩到一定值时,势阱深度反而会下降.此外介绍了原子芯片的制作方法,以及利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子的实验装置和实验过程.最终有2×106个87Rb原子被转移到Z形磁阱中.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-11-30

利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子

  • 中国科学院上海光学精密机械研究所量子光学重点实验室,上海,201800;中国科学院冷原子物理中心,上海,201800
  • 浙江大学物理系,杭州,310027

摘要: 利用解析和数值方法计算了Z形磁阱的囚禁势,发现当囚禁中心和芯片表面距离较远时(该距离和Z形线中部导线的一半长度相差不超过一个量级),势阱的深度不能近似表示成偏置磁场By对应的能量,而要减去囚禁中心的势能高度;而增加By进行磁阱压缩到一定值时,势阱深度反而会下降.此外介绍了原子芯片的制作方法,以及利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子的实验装置和实验过程.最终有2×106个87Rb原子被转移到Z形磁阱中.

English Abstract

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