单晶Si表面离子束溅射沉积Co纳米薄膜的研究

上一篇

下一篇

何丽静, 林晓娉, 王铁宝, 刘春阳. 2007: 单晶Si表面离子束溅射沉积Co纳米薄膜的研究, 物理学报, 56(12): 7158-7164. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.058
引用本文: 何丽静, 林晓娉, 王铁宝, 刘春阳. 2007: 单晶Si表面离子束溅射沉积Co纳米薄膜的研究, 物理学报, 56(12): 7158-7164. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.058
He Li-Jing, Lin Xiao-Ping, Wang Tie-Bao, Liu Chun-Yang. 2007: Properties of Co nano-films deposited on monocrystalline silicon surface by ion beam sputtering, Acta Physica Sinica, 56(12): 7158-7164. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.058
Citation: He Li-Jing, Lin Xiao-Ping, Wang Tie-Bao, Liu Chun-Yang. 2007: Properties of Co nano-films deposited on monocrystalline silicon surface by ion beam sputtering, Acta Physica Sinica, 56(12): 7158-7164. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.058

单晶Si表面离子束溅射沉积Co纳米薄膜的研究

Properties of Co nano-films deposited on monocrystalline silicon surface by ion beam sputtering

  • 摘要: 采用离子束溅射沉积法,在单晶Si基片上制备了不同厚度(1-100 nm)的Co纳米薄膜.利用原子力显微镜、X射线光电子能谱(XPS)仪和X射线衍射仪对不同厚度的Co纳米薄膜进行了分析和研究.结果表明:当薄膜厚度为1-10 nm时,沉积颗粒形态随薄膜厚度增加将由二维生长的细长胞状过渡到多个颗粒聚集成的球状.当膜厚大于10 nm时,小颗粒球聚集成大颗粒球,颗粒球呈现三维生长状态.表面粗糙度随膜厚的增加呈现先增加后减小的趋势,在膜厚为3 nm时出现极值.XPS全程宽扫描和窄扫描显示:薄膜表面的元素成分为Co,化学态分别为Co,CoO和Co2O3.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  320
  • HTML全文浏览数:  65
  • PDF下载数:  14
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2007-12-30

单晶Si表面离子束溅射沉积Co纳米薄膜的研究

  • 河北工业大学材料科学与工程学院,天津,300130

摘要: 采用离子束溅射沉积法,在单晶Si基片上制备了不同厚度(1-100 nm)的Co纳米薄膜.利用原子力显微镜、X射线光电子能谱(XPS)仪和X射线衍射仪对不同厚度的Co纳米薄膜进行了分析和研究.结果表明:当薄膜厚度为1-10 nm时,沉积颗粒形态随薄膜厚度增加将由二维生长的细长胞状过渡到多个颗粒聚集成的球状.当膜厚大于10 nm时,小颗粒球聚集成大颗粒球,颗粒球呈现三维生长状态.表面粗糙度随膜厚的增加呈现先增加后减小的趋势,在膜厚为3 nm时出现极值.XPS全程宽扫描和窄扫描显示:薄膜表面的元素成分为Co,化学态分别为Co,CoO和Co2O3.

English Abstract

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回