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电化学制备薄黑硅抗反射膜

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刘光友, 谭兴文, 姚金才, 王振, 熊祖洪. 2008: 电化学制备薄黑硅抗反射膜, 物理学报, 57(1): 514-518. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.082
引用本文: 刘光友, 谭兴文, 姚金才, 王振, 熊祖洪. 2008: 电化学制备薄黑硅抗反射膜, 物理学报, 57(1): 514-518. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.082
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Liu Guang-You, Tan Xing-Wen, Yao Jin-Cai, Wang Zhen, Xiong Zu-Hong. 2008: 'Black silicon' antireflection thin film prepared by electrochemical etching, Acta Physica Sinica, 57(1): 514-518. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.082
Citation: Liu Guang-You, Tan Xing-Wen, Yao Jin-Cai, Wang Zhen, Xiong Zu-Hong. 2008: "Black silicon" antireflection thin film prepared by electrochemical etching, Acta Physica Sinica, 57(1): 514-518. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.082
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电化学制备薄黑硅抗反射膜

  • 西南大学物理科学与技术学院,重庆,400715

"Black silicon" antireflection thin film prepared by electrochemical etching

  • 摘要: 采用计算机控制电流密度按指数规律衰减对单晶硅进行电化学腐蚀,得到了折射率随薄膜厚度连续均匀变化的抗反射膜,即黑硅样品.这种在制取上快速、经济和工艺非常简单的样品,不仅在较宽波段范围内反射率小于5%.且整个薄膜厚度不足1μm.利用传输矩阵方法对黑硅样品的反射谱进行模拟,得到了理论与实验符合较好的结果.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-01-30

电化学制备薄黑硅抗反射膜

  • 西南大学物理科学与技术学院,重庆,400715

摘要: 采用计算机控制电流密度按指数规律衰减对单晶硅进行电化学腐蚀,得到了折射率随薄膜厚度连续均匀变化的抗反射膜,即黑硅样品.这种在制取上快速、经济和工艺非常简单的样品,不仅在较宽波段范围内反射率小于5%.且整个薄膜厚度不足1μm.利用传输矩阵方法对黑硅样品的反射谱进行模拟,得到了理论与实验符合较好的结果.

English Abstract

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