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有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究

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刘秀喜, 王公堂. 2008: 有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究, 物理学报, 57(1): 576-580. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.094
引用本文: 刘秀喜, 王公堂. 2008: 有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究, 物理学报, 57(1): 576-580. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.094
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Liu Xiu-Xi, Wang Gong-Tang. 2008: Fabrication of high voltage thyristor based on silicon organic compounds and metal oxides type isolation protective material, Acta Physica Sinica, 57(1): 576-580. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.094
Citation: Liu Xiu-Xi, Wang Gong-Tang. 2008: Fabrication of high voltage thyristor based on silicon organic compounds and metal oxides type isolation protective material, Acta Physica Sinica, 57(1): 576-580. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.094
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有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究

  • 山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014

Fabrication of high voltage thyristor based on silicon organic compounds and metal oxides type isolation protective material

  • 摘要: 采用高纯有机硅化合物和金属氧化物,按比例均匀混合制成糊状材料,涂敷于器件台表面,用于半导体p-n结表面特性的控制和保护.固化后该材料在室温下的体电阻率大于7.5×1015Ω·cm,介电常数为4.7,击穿电压高于16kV/mm.该材料用于KP500型晶闸管表面保护,能明显改善器件的表面特性、减少漏电流和提高耐压水平,并对提高器件性能的机理进行了研究.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-01-30

有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究

  • 山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014

摘要: 采用高纯有机硅化合物和金属氧化物,按比例均匀混合制成糊状材料,涂敷于器件台表面,用于半导体p-n结表面特性的控制和保护.固化后该材料在室温下的体电阻率大于7.5×1015Ω·cm,介电常数为4.7,击穿电压高于16kV/mm.该材料用于KP500型晶闸管表面保护,能明显改善器件的表面特性、减少漏电流和提高耐压水平,并对提高器件性能的机理进行了研究.

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