沉积速率和生长停顿对InAs/GaAs量子点超晶格生长影响的综合分析

上一篇

下一篇

宋禹忻, 俞重远, 刘玉敏. 2008: 沉积速率和生长停顿对InAs/GaAs量子点超晶格生长影响的综合分析, 物理学报, 57(4): 2399-2403. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.04.065
引用本文: 宋禹忻, 俞重远, 刘玉敏. 2008: 沉积速率和生长停顿对InAs/GaAs量子点超晶格生长影响的综合分析, 物理学报, 57(4): 2399-2403. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.04.065
Song Yu-Xin, Yu Zhong-Yuan, Liu Yu-Min. 2008: Influences of flux and interruption on InAs/GaAs quantum dot superlattice growth, Acta Physica Sinica, 57(4): 2399-2403. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.04.065
Citation: Song Yu-Xin, Yu Zhong-Yuan, Liu Yu-Min. 2008: Influences of flux and interruption on InAs/GaAs quantum dot superlattice growth, Acta Physica Sinica, 57(4): 2399-2403. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.04.065

沉积速率和生长停顿对InAs/GaAs量子点超晶格生长影响的综合分析

Influences of flux and interruption on InAs/GaAs quantum dot superlattice growth

  • 摘要: 采用动力学蒙特卡罗模型模拟了沉积速率和生长停顿对GaAs衬底中垂直耦合InAs量子点超晶格生长早期阶段的影响.通过对生长表面形态、岛平均尺寸、岛尺寸分布及其标准差等方面的研究,发现综合控制沉积速率和生长停顿时间能够得到大小均匀、排列有序的岛阵列.这对后续量子点超晶格生长过程中量子点的定位有重要影响.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  471
  • HTML全文浏览数:  139
  • PDF下载数:  48
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2008-04-30

沉积速率和生长停顿对InAs/GaAs量子点超晶格生长影响的综合分析

  • 北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876;北京邮电大学理学院,北京,100876

摘要: 采用动力学蒙特卡罗模型模拟了沉积速率和生长停顿对GaAs衬底中垂直耦合InAs量子点超晶格生长早期阶段的影响.通过对生长表面形态、岛平均尺寸、岛尺寸分布及其标准差等方面的研究,发现综合控制沉积速率和生长停顿时间能够得到大小均匀、排列有序的岛阵列.这对后续量子点超晶格生长过程中量子点的定位有重要影响.

English Abstract

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回