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掺杂对铌酸锂晶体非挥发全息存储性能的影响

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付博, 张国权, 刘祥明, 申岩, 徐庆君, 孔勇发, 陈绍林, 许京军. 2008: 掺杂对铌酸锂晶体非挥发全息存储性能的影响, 物理学报, 57(5): 2946-2951. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.052
引用本文: 付博, 张国权, 刘祥明, 申岩, 徐庆君, 孔勇发, 陈绍林, 许京军. 2008: 掺杂对铌酸锂晶体非挥发全息存储性能的影响, 物理学报, 57(5): 2946-2951. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.052
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Fu Bo, Zhang Guo-Quan, Liu Xiang-Ming, Shen Yan, Xu Qing-Jun, Kong Yong-Fa, Chen Shao-Lin, Xu Jing-Jun. 2008: Influence of dopants on nonvolatile holographic storage in lithium niobate, Acta Physica Sinica, 57(5): 2946-2951. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.052
Citation: Fu Bo, Zhang Guo-Quan, Liu Xiang-Ming, Shen Yan, Xu Qing-Jun, Kong Yong-Fa, Chen Shao-Lin, Xu Jing-Jun. 2008: Influence of dopants on nonvolatile holographic storage in lithium niobate, Acta Physica Sinica, 57(5): 2946-2951. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.052
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掺杂对铌酸锂晶体非挥发全息存储性能的影响

  • 南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津,300457;中国工程物理研究院流体物理研究所,绵阳,621900

  • 南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津,300457;南开大学物理科学学院光子学中心,天津,300071

  • 枣庄学院物理系,枣庄,277160

  • 南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津,300457

Influence of dopants on nonvolatile holographic storage in lithium niobate

  • 摘要: 通过研究掺镁、掺锌和掺铟同成分铌酸锂晶体的紫外一红光双色全息存储性能,发现双色记录响应时间均比单色记录时明显缩短,最多的可减小3个数量级;双色记录灵敏度大幅度提高,在掺镁5mol.%的晶体中可达到1.1cm/J.在掺杂浓度超过抗光损伤阈值的铌酸锂晶体中,均可实现非挥发全息存储.但是,在掺镁、锌样品中,深、浅能级中心上的光栅反相,而在掺铟样品中则表现为同相.这是由于掺杂离子的种类不同,在铌酸锂晶体中形成的缺陷中心也不同所引起的.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-05-30

掺杂对铌酸锂晶体非挥发全息存储性能的影响

  • 南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津,300457;中国工程物理研究院流体物理研究所,绵阳,621900
  • 南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津,300457;南开大学物理科学学院光子学中心,天津,300071
  • 枣庄学院物理系,枣庄,277160
  • 南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津,300457

摘要: 通过研究掺镁、掺锌和掺铟同成分铌酸锂晶体的紫外一红光双色全息存储性能,发现双色记录响应时间均比单色记录时明显缩短,最多的可减小3个数量级;双色记录灵敏度大幅度提高,在掺镁5mol.%的晶体中可达到1.1cm/J.在掺杂浓度超过抗光损伤阈值的铌酸锂晶体中,均可实现非挥发全息存储.但是,在掺镁、锌样品中,深、浅能级中心上的光栅反相,而在掺铟样品中则表现为同相.这是由于掺杂离子的种类不同,在铌酸锂晶体中形成的缺陷中心也不同所引起的.

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