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微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性研究

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张发荣, 张晓丹, Amanatides E, Mataras D, 赵静, 赵颖. 2008: 微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性研究, 物理学报, 57(5): 3022-3026. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.065
引用本文: 张发荣, 张晓丹, Amanatides E, Mataras D, 赵静, 赵颖. 2008: 微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性研究, 物理学报, 57(5): 3022-3026. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.065
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Zhang Fa-Rong, Zhang Xiao-Dan, Amanatides E, Mataras D, Zhao Jing, Zhao Ying. 2008: Study on the optical and electrical properties of plasma for the deposition of microcrystalline silicon, Acta Physica Sinica, 57(5): 3022-3026. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.065
Citation: Zhang Fa-Rong, Zhang Xiao-Dan, Amanatides E, Mataras D, Zhao Jing, Zhao Ying. 2008: Study on the optical and electrical properties of plasma for the deposition of microcrystalline silicon, Acta Physica Sinica, 57(5): 3022-3026. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.065
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微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性研究

  • 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,南开大学,天津,300071

  • 希腊帕特雷大学等离子体技术实验室,帕特雷,希腊,26500

  • 天津新华职工大学,天津,300040

Study on the optical and electrical properties of plasma for the deposition of microcrystalline silicon

  • 摘要: 采用空间分辨光发射谱和傅里叶变换功率阻抗分析仪研究了衬底偏压和辉光功率对微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性的影响.研究表明:在交流偏压(AC)、悬浮(floating)、负直流加交流(-DC+AC)偏压下,Hα发射强度空间分布规律相似,平均鞘层长度相等;正直流加交流(+DC+AC)偏压和接地(grounded)时Hα发射强度显著增强,并存在双峰(double layers)现象.增大功率,Hα发射强度也随着增大,并在17W与22W之间产生跳变.电学测试发现功率增大,等离子体电阻降低,电抗降低,电容性增强.并对此进行了分析.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-05-30

微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性研究

  • 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,南开大学,天津,300071
  • 希腊帕特雷大学等离子体技术实验室,帕特雷,希腊,26500
  • 天津新华职工大学,天津,300040

摘要: 采用空间分辨光发射谱和傅里叶变换功率阻抗分析仪研究了衬底偏压和辉光功率对微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性的影响.研究表明:在交流偏压(AC)、悬浮(floating)、负直流加交流(-DC+AC)偏压下,Hα发射强度空间分布规律相似,平均鞘层长度相等;正直流加交流(+DC+AC)偏压和接地(grounded)时Hα发射强度显著增强,并存在双峰(double layers)现象.增大功率,Hα发射强度也随着增大,并在17W与22W之间产生跳变.电学测试发现功率增大,等离子体电阻降低,电抗降低,电容性增强.并对此进行了分析.

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