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氢化非晶硅薄膜的热导率研究

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李世彬, 吴志明, 袁凯, 廖乃镘, 李伟, 蒋亚东. 2008: 氢化非晶硅薄膜的热导率研究, 物理学报, 57(5): 3126-3131. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.080
引用本文: 李世彬, 吴志明, 袁凯, 廖乃镘, 李伟, 蒋亚东. 2008: 氢化非晶硅薄膜的热导率研究, 物理学报, 57(5): 3126-3131. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.080
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Li Shi-Bin, Wu Zhi-Ming, Yuan Kai, Liao Nai-Man, Li Wei, Jiang Ya-Dong. 2008: Study on thermal conductivity of hydrogenated amorphous silicon films, Acta Physica Sinica, 57(5): 3126-3131. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.080
Citation: Li Shi-Bin, Wu Zhi-Ming, Yuan Kai, Liao Nai-Man, Li Wei, Jiang Ya-Dong. 2008: Study on thermal conductivity of hydrogenated amorphous silicon films, Acta Physica Sinica, 57(5): 3126-3131. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.080
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氢化非晶硅薄膜的热导率研究

  • 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054

Study on thermal conductivity of hydrogenated amorphous silicon films

  • 摘要: 采用铂电极为加热电阻,研究了厚度为300-370nm等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的热导率随衬底温度的变化规律.用光谱式椭偏仪拟合测量薄膜的厚度,得到了沉积速率随衬底温度变化规律,傅里叶红外(FTIR)表征了在KBr晶片衬底上制备的a-Si:H薄膜的红外光谱特性,SiH原子团键合模的震动对热量的吸收降低了薄膜热导率.从动力学角度分析了薄膜热导率随平均温度升高而增大的原因,并比较了声子传播和自由电子移动在a-Si:H薄膜热导率变化上的作用差异.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-05-30

氢化非晶硅薄膜的热导率研究

  • 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054

摘要: 采用铂电极为加热电阻,研究了厚度为300-370nm等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的热导率随衬底温度的变化规律.用光谱式椭偏仪拟合测量薄膜的厚度,得到了沉积速率随衬底温度变化规律,傅里叶红外(FTIR)表征了在KBr晶片衬底上制备的a-Si:H薄膜的红外光谱特性,SiH原子团键合模的震动对热量的吸收降低了薄膜热导率.从动力学角度分析了薄膜热导率随平均温度升高而增大的原因,并比较了声子传播和自由电子移动在a-Si:H薄膜热导率变化上的作用差异.

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