高氧空位简并锐钛矿TiO2半导体电子寿命的第一性原理研究

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侯清玉, 张跃, 张涛. 2008: 高氧空位简并锐钛矿TiO2半导体电子寿命的第一性原理研究, 物理学报, 57(5): 3155-3159. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.084
引用本文: 侯清玉, 张跃, 张涛. 2008: 高氧空位简并锐钛矿TiO2半导体电子寿命的第一性原理研究, 物理学报, 57(5): 3155-3159. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.084
Hou Qing-Yu, Zhang Yue, Zhang Tao. 2008: First principle study on the electron life span of degenerate anatase phase TiO2 semi-conductor with high concentration of oxygen vacancies, Acta Physica Sinica, 57(5): 3155-3159. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.084
Citation: Hou Qing-Yu, Zhang Yue, Zhang Tao. 2008: First principle study on the electron life span of degenerate anatase phase TiO2 semi-conductor with high concentration of oxygen vacancies, Acta Physica Sinica, 57(5): 3155-3159. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.084

高氧空位简并锐钛矿TiO2半导体电子寿命的第一性原理研究

First principle study on the electron life span of degenerate anatase phase TiO2 semi-conductor with high concentration of oxygen vacancies

  • 摘要: 为了研究锐钛矿TiO2晶体中高氧空位浓度对电子寿命的影响,利用基于局域密度泛函理论框架下的广义梯度近似平面波超软赝势方法,用第一性原理对含高氧空位浓度的锐钛矿TiO2晶体进行了结构优化处理、能带分布和态密度分布计算,表明在温度一定和高氧空位浓度的条件下,锐钛矿TiO2的电子寿命随氧空位浓度的增大而减小;电子浓度的大小对电子寿命无影响.同时,锐钛矿TiO2晶体中高氧空位浓度时,发现有莫特相变的现象.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-05-30

高氧空位简并锐钛矿TiO2半导体电子寿命的第一性原理研究

  • 北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京,100083

摘要: 为了研究锐钛矿TiO2晶体中高氧空位浓度对电子寿命的影响,利用基于局域密度泛函理论框架下的广义梯度近似平面波超软赝势方法,用第一性原理对含高氧空位浓度的锐钛矿TiO2晶体进行了结构优化处理、能带分布和态密度分布计算,表明在温度一定和高氧空位浓度的条件下,锐钛矿TiO2的电子寿命随氧空位浓度的增大而减小;电子浓度的大小对电子寿命无影响.同时,锐钛矿TiO2晶体中高氧空位浓度时,发现有莫特相变的现象.

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