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Ce4+离子在Ca2SnO4+一维结构基质中的电荷迁移光谱研究

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符史流, 柴飞, 陈洁, 张汉焱. 2008: Ce4+离子在Ca2SnO4+一维结构基质中的电荷迁移光谱研究, 物理学报, 57(5): 3254-3259. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.100
引用本文: 符史流, 柴飞, 陈洁, 张汉焱. 2008: Ce4+离子在Ca2SnO4+一维结构基质中的电荷迁移光谱研究, 物理学报, 57(5): 3254-3259. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.100
shu
Fu Shi-Liu, Chai Fei, Chen Jie, Zhang Han-Yan. 2008: Investigation of the charge-transfer spectra of Ce4+ -doped Ca2SnO4 with one-dimensional structure, Acta Physica Sinica, 57(5): 3254-3259. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.100
Citation: Fu Shi-Liu, Chai Fei, Chen Jie, Zhang Han-Yan. 2008: Investigation of the charge-transfer spectra of Ce4+ -doped Ca2SnO4 with one-dimensional structure, Acta Physica Sinica, 57(5): 3254-3259. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.100
shu

Ce4+离子在Ca2SnO4+一维结构基质中的电荷迁移光谱研究

  • 汕头大学物理系,汕头,515063

Investigation of the charge-transfer spectra of Ce4+ -doped Ca2SnO4 with one-dimensional structure

  • 摘要: 利用高温固相反应法制备了Ca2Sn1-xCexO4和ca2-ySrySn1-xCexO4一维结构发光体.XPS结果显示Ca2SnO4拥有两种结合能分别为527.7eV和529.3eV的晶格O2-离子,前者对应于SnO6八面体终端上的O2-离子,而后者属于八面体平面上的O2-离子.Ca2Sn1-xCexO4和Sr2CeO4一维结构发光体的发光来源于Ce4+O2-的电荷迁移跃迁,通常认为O2-与Ce4+离子之间的电荷迁移激发在紫外波段存在着两个激发峰.Sr2+离子掺杂的Ca2Sn1-xCexO4样品的光谱测量结果显示Ca2Sn1-xCexO4在紫外波段实际上存在着三个激发峰.Ca2Sn1-xCexO4样品的三个激发峰分别位于31000cm-1,34500cm-1和37400cm-1附近.在Ca2Sn1-xCexO4的Ca2+格位上掺杂Sr2+离子,三个激发峰明显显露,且分别蓝移至31200cm-1,34700cm-1和38400cm-1左右;然而,样品发射光谱的形状保持不变.Sr2CeO4激发光谱也可以用三个高斯峰拟合,其峰值分别位于29300cm-1,33400cm-1和37000cm-1附近.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-05-30

Ce4+离子在Ca2SnO4+一维结构基质中的电荷迁移光谱研究

  • 汕头大学物理系,汕头,515063

摘要: 利用高温固相反应法制备了Ca2Sn1-xCexO4和ca2-ySrySn1-xCexO4一维结构发光体.XPS结果显示Ca2SnO4拥有两种结合能分别为527.7eV和529.3eV的晶格O2-离子,前者对应于SnO6八面体终端上的O2-离子,而后者属于八面体平面上的O2-离子.Ca2Sn1-xCexO4和Sr2CeO4一维结构发光体的发光来源于Ce4+O2-的电荷迁移跃迁,通常认为O2-与Ce4+离子之间的电荷迁移激发在紫外波段存在着两个激发峰.Sr2+离子掺杂的Ca2Sn1-xCexO4样品的光谱测量结果显示Ca2Sn1-xCexO4在紫外波段实际上存在着三个激发峰.Ca2Sn1-xCexO4样品的三个激发峰分别位于31000cm-1,34500cm-1和37400cm-1附近.在Ca2Sn1-xCexO4的Ca2+格位上掺杂Sr2+离子,三个激发峰明显显露,且分别蓝移至31200cm-1,34700cm-1和38400cm-1左右;然而,样品发射光谱的形状保持不变.Sr2CeO4激发光谱也可以用三个高斯峰拟合,其峰值分别位于29300cm-1,33400cm-1和37000cm-1附近.

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