激发态之间的电离与复合过程对类氖锗19.6 nm X射线激光增益系数的影响
Effect of ionization and recombination between excited states on gain of 19.6 nm X-ray laser
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摘要: 考察了激发态之间的电离与复合过程对等离子体状态的影响,并对其原因进行了细致的分析,分别考察了对1.0 ns,loo ps和5 ps激光驱动的类氖锗19.6 nm X射线激光增益系数的影响.研究表明,对于5 ps激光驱动的瞬态机理X射线激光来讲,因增益区处在高密度区,所以,激发态之间的电离与复合过程对X射线激光将不可以忽略.对于1.0 ns和loo ps激光驱动的亚稳态机理x射线激光来讲,在电子密度小于等于5×l0cm-3的区域,忽略激发态之间的电离与复合使增益的时间半高全宽延长了~10%,峰值增益的空间半高全宽分别增加了~13%和~-23%,相对于增益的维持时间(半高全宽),峰值增益出现的时间分别延迟了~1.4%和一6.9%.差异并不十分显著,因此矩阵分块法可以对亚稳态机理X射线激光进行粗略地、规律性地研究,但是准确地模拟还是不能忽略激发态之间的电离与复合过程,且如果关心等离子体电离的全过程,则激发态之间的电离与复合过程不能忽略.
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