激发态之间的电离与复合过程对类氖锗19.6 nm X射线激光增益系数的影响

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乔秀梅, 郑无敌, 张国平. 2008: 激发态之间的电离与复合过程对类氖锗19.6 nm X射线激光增益系数的影响, 物理学报, 57(9): 5639-5645. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.046
引用本文: 乔秀梅, 郑无敌, 张国平. 2008: 激发态之间的电离与复合过程对类氖锗19.6 nm X射线激光增益系数的影响, 物理学报, 57(9): 5639-5645. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.046
2008: Effect of ionization and recombination between excited states on gain of 19.6 nm X-ray laser, Acta Physica Sinica, 57(9): 5639-5645. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.046
Citation: 2008: Effect of ionization and recombination between excited states on gain of 19.6 nm X-ray laser, Acta Physica Sinica, 57(9): 5639-5645. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.046

激发态之间的电离与复合过程对类氖锗19.6 nm X射线激光增益系数的影响

Effect of ionization and recombination between excited states on gain of 19.6 nm X-ray laser

  • 摘要: 考察了激发态之间的电离与复合过程对等离子体状态的影响,并对其原因进行了细致的分析,分别考察了对1.0 ns,loo ps和5 ps激光驱动的类氖锗19.6 nm X射线激光增益系数的影响.研究表明,对于5 ps激光驱动的瞬态机理X射线激光来讲,因增益区处在高密度区,所以,激发态之间的电离与复合过程对X射线激光将不可以忽略.对于1.0 ns和loo ps激光驱动的亚稳态机理x射线激光来讲,在电子密度小于等于5×l0cm-3的区域,忽略激发态之间的电离与复合使增益的时间半高全宽延长了~10%,峰值增益的空间半高全宽分别增加了~13%和~-23%,相对于增益的维持时间(半高全宽),峰值增益出现的时间分别延迟了~1.4%和一6.9%.差异并不十分显著,因此矩阵分块法可以对亚稳态机理X射线激光进行粗略地、规律性地研究,但是准确地模拟还是不能忽略激发态之间的电离与复合过程,且如果关心等离子体电离的全过程,则激发态之间的电离与复合过程不能忽略.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-09-30

激发态之间的电离与复合过程对类氖锗19.6 nm X射线激光增益系数的影响

  • 北京应用物理与计算数学研究所,北京,100088

摘要: 考察了激发态之间的电离与复合过程对等离子体状态的影响,并对其原因进行了细致的分析,分别考察了对1.0 ns,loo ps和5 ps激光驱动的类氖锗19.6 nm X射线激光增益系数的影响.研究表明,对于5 ps激光驱动的瞬态机理X射线激光来讲,因增益区处在高密度区,所以,激发态之间的电离与复合过程对X射线激光将不可以忽略.对于1.0 ns和loo ps激光驱动的亚稳态机理x射线激光来讲,在电子密度小于等于5×l0cm-3的区域,忽略激发态之间的电离与复合使增益的时间半高全宽延长了~10%,峰值增益的空间半高全宽分别增加了~13%和~-23%,相对于增益的维持时间(半高全宽),峰值增益出现的时间分别延迟了~1.4%和一6.9%.差异并不十分显著,因此矩阵分块法可以对亚稳态机理X射线激光进行粗略地、规律性地研究,但是准确地模拟还是不能忽略激发态之间的电离与复合过程,且如果关心等离子体电离的全过程,则激发态之间的电离与复合过程不能忽略.

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