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声表面波单电子输运器件中量子线的电学特性研究

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李宏, 郭华忠, 路川, 李玲, 高洁. 2008: 声表面波单电子输运器件中量子线的电学特性研究, 物理学报, 57(9): 5863-5868. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.082
引用本文: 李宏, 郭华忠, 路川, 李玲, 高洁. 2008: 声表面波单电子输运器件中量子线的电学特性研究, 物理学报, 57(9): 5863-5868. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.082
shu
2008: Electronic properties of quantum wires in surface-acoustic-wave based single-electron transport devices, Acta Physica Sinica, 57(9): 5863-5868. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.082
Citation: 2008: Electronic properties of quantum wires in surface-acoustic-wave based single-electron transport devices, Acta Physica Sinica, 57(9): 5863-5868. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.082
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声表面波单电子输运器件中量子线的电学特性研究

  • 四川大学物理科学与技术学院,成都,610064

  • 中国测试技术研究院,成都,610021

  • 四川师范大学物理与电子工程学院,成都,610068

  • 四川大学物理科学与技术学院,成都,610064;中国测试技术研究院,成都,610021

Electronic properties of quantum wires in surface-acoustic-wave based single-electron transport devices

  • 摘要: 通过在AlxGa1-xAs/GaAs异质结表面制作一对分裂门,获得了用于实现声表面波单电子输运的准一维量子线.实验研究了0.3 K时电子沿该量子线的输运性质.通过自洽求解二维薛定谔方程和泊松方程,分析了该量子线的导带能量和电子浓度的分布,并讨论了量子线宽度对分裂门方向形成限制势的影响.特别是对其线性电子浓度随温度及分裂门电压的变化关系进行了数值模拟,所得到的钳断电压与实验测量值符合较好.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-09-30

声表面波单电子输运器件中量子线的电学特性研究

  • 四川大学物理科学与技术学院,成都,610064
  • 中国测试技术研究院,成都,610021
  • 四川师范大学物理与电子工程学院,成都,610068
  • 四川大学物理科学与技术学院,成都,610064;中国测试技术研究院,成都,610021

摘要: 通过在AlxGa1-xAs/GaAs异质结表面制作一对分裂门,获得了用于实现声表面波单电子输运的准一维量子线.实验研究了0.3 K时电子沿该量子线的输运性质.通过自洽求解二维薛定谔方程和泊松方程,分析了该量子线的导带能量和电子浓度的分布,并讨论了量子线宽度对分裂门方向形成限制势的影响.特别是对其线性电子浓度随温度及分裂门电压的变化关系进行了数值模拟,所得到的钳断电压与实验测量值符合较好.

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