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GaMnN材料红外光谱中洛伦兹振子模型的遗传算法研究

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程兴华, 唐龙谷, 陈志涛, 龚敏, 于彤军, 张国义, 石瑞英. 2008: GaMnN材料红外光谱中洛伦兹振子模型的遗传算法研究, 物理学报, 57(9): 5875-5880. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.084
引用本文: 程兴华, 唐龙谷, 陈志涛, 龚敏, 于彤军, 张国义, 石瑞英. 2008: GaMnN材料红外光谱中洛伦兹振子模型的遗传算法研究, 物理学报, 57(9): 5875-5880. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.084
shu
2008: A genetic algorithm research on Lorentz oscillator model in infrared spectra of GaMnN, Acta Physica Sinica, 57(9): 5875-5880. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.084
Citation: 2008: A genetic algorithm research on Lorentz oscillator model in infrared spectra of GaMnN, Acta Physica Sinica, 57(9): 5875-5880. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.084
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GaMnN材料红外光谱中洛伦兹振子模型的遗传算法研究

  • 四川大学物理科学与技术学院微电子学系,成都,610064

  • 北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院,北京,100871

  • 四川大学物理科学与技术学院微电子学系,成都,610064;微电子技术四川省重点实验室,成都,610064

A genetic algorithm research on Lorentz oscillator model in infrared spectra of GaMnN

  • 摘要: 利用红外反射光谱研究了蓝宝石衬底上用金属有机物化学气相淀积方法生长的稀磁半导体GaMnN材料的晶格振动特性.并成功地将改进的遗传算法应用于其红外反射光谱洛伦兹振子模型参数的提取.通过与GaN薄膜的洛伦兹振子模型参数的对比研究发现,GaN掺入Mn后,ωTυ向高频方向移动,γ,ε∞和εs均增加,而ωLυ基本保持不变.文中同时分析和讨论了Mn对晶格振动特性的影响及介电函数变化的机理.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-09-30

GaMnN材料红外光谱中洛伦兹振子模型的遗传算法研究

  • 四川大学物理科学与技术学院微电子学系,成都,610064
  • 北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院,北京,100871
  • 四川大学物理科学与技术学院微电子学系,成都,610064;微电子技术四川省重点实验室,成都,610064

摘要: 利用红外反射光谱研究了蓝宝石衬底上用金属有机物化学气相淀积方法生长的稀磁半导体GaMnN材料的晶格振动特性.并成功地将改进的遗传算法应用于其红外反射光谱洛伦兹振子模型参数的提取.通过与GaN薄膜的洛伦兹振子模型参数的对比研究发现,GaN掺入Mn后,ωTυ向高频方向移动,γ,ε∞和εs均增加,而ωLυ基本保持不变.文中同时分析和讨论了Mn对晶格振动特性的影响及介电函数变化的机理.

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