高级搜索

ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究

,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

张威, 李梦轲, 魏强, 曹璐, 杨志, 乔双双. 2008: ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究, 物理学报, 57(9): 5887-5892. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.086
引用本文: 张威, 李梦轲, 魏强, 曹璐, 杨志, 乔双双. 2008: ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究, 物理学报, 57(9): 5887-5892. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.086
shu
2008: Fabrication and I-V Characteristics of ZnO nanowire-based field effect transistors, Acta Physica Sinica, 57(9): 5887-5892. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.086
Citation: 2008: Fabrication and I-V Characteristics of ZnO nanowire-based field effect transistors, Acta Physica Sinica, 57(9): 5887-5892. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.086
shu

ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究

  • 辽宁师范大学物理与电子技术学院,大连,116029

  • 兰州大学化学系,兰州,730000

  • 大连理工大学物理与光电工程学院,大连,116024

Fabrication and I-V Characteristics of ZnO nanowire-based field effect transistors

  • 摘要: 采用静电探针和原子力探针技术,将化学气相沉积工艺制备的,长度为30-200μm,直径80-750 nm的单根半导体ZnO纳米线搭接在Au,Zn,Al不同功函的金属隔离沟道两端,构建出了最基本的ZnO纳米线绝缘栅场效应管.研究了沟道类型、纳米线直径、退火温度和外加栅压对ZnO纳米线场效应管I-V特性的影响.利用半导体与金属材料的肖特基接触、欧姆接触的产生机理及电子输运理论,对结果进行了分析和讨论.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  712
  • HTML全文浏览数:  200
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2008-09-30

ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究

  • 辽宁师范大学物理与电子技术学院,大连,116029
  • 兰州大学化学系,兰州,730000
  • 大连理工大学物理与光电工程学院,大连,116024

摘要: 采用静电探针和原子力探针技术,将化学气相沉积工艺制备的,长度为30-200μm,直径80-750 nm的单根半导体ZnO纳米线搭接在Au,Zn,Al不同功函的金属隔离沟道两端,构建出了最基本的ZnO纳米线绝缘栅场效应管.研究了沟道类型、纳米线直径、退火温度和外加栅压对ZnO纳米线场效应管I-V特性的影响.利用半导体与金属材料的肖特基接触、欧姆接触的产生机理及电子输运理论,对结果进行了分析和讨论.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回