高级搜索

对以并五苯和酞菁铜为不同有源层的有机薄膜晶体管特性研究

,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

赵谡玲, 袁广才, 徐征, 张福俊, 姜薇薇, 黄金昭, 宋丹丹, 朱海娜, 黄金英, 徐叙璐. 2008: 对以并五苯和酞菁铜为不同有源层的有机薄膜晶体管特性研究, 物理学报, 57(9): 5911-5917. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.090
引用本文: 赵谡玲, 袁广才, 徐征, 张福俊, 姜薇薇, 黄金昭, 宋丹丹, 朱海娜, 黄金英, 徐叙璐. 2008: 对以并五苯和酞菁铜为不同有源层的有机薄膜晶体管特性研究, 物理学报, 57(9): 5911-5917. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.090
shu
2008: Study of the characteristics of organic thin film transistors based on different active layers of pentacene and CuPc thin films, Acta Physica Sinica, 57(9): 5911-5917. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.090
Citation: 2008: Study of the characteristics of organic thin film transistors based on different active layers of pentacene and CuPc thin films, Acta Physica Sinica, 57(9): 5911-5917. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.090
shu

对以并五苯和酞菁铜为不同有源层的有机薄膜晶体管特性研究

  • 北京交通大学光电子技术研究所,北京,100044

  • 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044

Study of the characteristics of organic thin film transistors based on different active layers of pentacene and CuPc thin films

  • 摘要: 通过扫描电镜和X射线衍射对SiO2衬底上生长并五苯和酞菁铜薄膜的表面形貌进行表征,并得到在SiO2衬底上生长的并五苯薄膜是以岛状结构生长,其大小约为100nm,且薄膜有较好的结晶取向,呈多晶态存在.酞菁铜薄膜则没有表现出明显的生长机理,其呈非晶态存在.还对通过掩膜的方法制作得以酞菁铜和并五苯为有源层的顶栅极有机薄膜晶体管的特性进行了研究.有源层的厚度为40 nm,绝缘层SiO2的厚度为250 nm,器件的沟道宽长比(W/L)为20.通过Keithley 2410 I-V测量仪对OTFTs器件的电学性质进行表征,其器件的开关电流比(on/off)分别为105和104,阈值电压VTH分别为-20 V和-15 V,器件的场效应载流子迁移率μEF分别为0.0694 cm2/V·s和1.201cm2/V·s.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  599
  • HTML全文浏览数:  238
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2008-09-30

对以并五苯和酞菁铜为不同有源层的有机薄膜晶体管特性研究

  • 北京交通大学光电子技术研究所,北京,100044
  • 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044

摘要: 通过扫描电镜和X射线衍射对SiO2衬底上生长并五苯和酞菁铜薄膜的表面形貌进行表征,并得到在SiO2衬底上生长的并五苯薄膜是以岛状结构生长,其大小约为100nm,且薄膜有较好的结晶取向,呈多晶态存在.酞菁铜薄膜则没有表现出明显的生长机理,其呈非晶态存在.还对通过掩膜的方法制作得以酞菁铜和并五苯为有源层的顶栅极有机薄膜晶体管的特性进行了研究.有源层的厚度为40 nm,绝缘层SiO2的厚度为250 nm,器件的沟道宽长比(W/L)为20.通过Keithley 2410 I-V测量仪对OTFTs器件的电学性质进行表征,其器件的开关电流比(on/off)分别为105和104,阈值电压VTH分别为-20 V和-15 V,器件的场效应载流子迁移率μEF分别为0.0694 cm2/V·s和1.201cm2/V·s.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回