TaN/TiN和NbN/TiN纳米结构多层膜超硬效应及超硬机理研究

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喻利花, 董师润, 许俊华, 李戈扬. 2008: TaN/TiN和NbN/TiN纳米结构多层膜超硬效应及超硬机理研究, 物理学报, 57(11): 7063-7068. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.057
引用本文: 喻利花, 董师润, 许俊华, 李戈扬. 2008: TaN/TiN和NbN/TiN纳米结构多层膜超硬效应及超硬机理研究, 物理学报, 57(11): 7063-7068. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.057
Yu Li-Hua, Dong Shi-Run, Xu Jun-Hua, Li Ge-Yang. 2008: Superhardness effect of TaN/TiN and NbN/TiN nanostructure multilayers and its mechanism, Acta Physica Sinica, 57(11): 7063-7068. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.057
Citation: Yu Li-Hua, Dong Shi-Run, Xu Jun-Hua, Li Ge-Yang. 2008: Superhardness effect of TaN/TiN and NbN/TiN nanostructure multilayers and its mechanism, Acta Physica Sinica, 57(11): 7063-7068. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.057

TaN/TiN和NbN/TiN纳米结构多层膜超硬效应及超硬机理研究

Superhardness effect of TaN/TiN and NbN/TiN nanostructure multilayers and its mechanism

  • 摘要: 采用射频磁控溅射方法制备单层TaN,NbN和TiN薄膜和不同调制周期的TaN/TiN和NbN/TiN纳米多层膜.薄膜采用X射线衍射仪、高分辨率透射电子显微镜和显微硬度仪进行表征.结果表明TaN/TiN和NbN/TiN纳米多层膜在一定的调制周期范围内均呈共格界面,相应地均出现了超硬效应,且最大硬度值接近.分析了TaN/TiN与NbN/TiN纳米多层膜的超硬机理,TaN/TiN的晶格错配度与NbN/TiN的接近,但TaN/TiN的弹性模量差与NbN/TiN的有一定的差别,表明由于晶格错配使共格外延生长在界面处产生的交变应力场是发生超硬效应的主要因素.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-11-30

TaN/TiN和NbN/TiN纳米结构多层膜超硬效应及超硬机理研究

  • 江苏科技大学材料科学与工程学院,江苏省先进焊接技术重点实验室,镇江,212003
  • 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030

摘要: 采用射频磁控溅射方法制备单层TaN,NbN和TiN薄膜和不同调制周期的TaN/TiN和NbN/TiN纳米多层膜.薄膜采用X射线衍射仪、高分辨率透射电子显微镜和显微硬度仪进行表征.结果表明TaN/TiN和NbN/TiN纳米多层膜在一定的调制周期范围内均呈共格界面,相应地均出现了超硬效应,且最大硬度值接近.分析了TaN/TiN与NbN/TiN纳米多层膜的超硬机理,TaN/TiN的晶格错配度与NbN/TiN的接近,但TaN/TiN的弹性模量差与NbN/TiN的有一定的差别,表明由于晶格错配使共格外延生长在界面处产生的交变应力场是发生超硬效应的主要因素.

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