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碲镉汞焦平面光伏器件的实时γ辐照效应研究

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乔辉, 廖毅, 胡伟达, 邓屹, 袁永刚, 张勤耀, 李向阳, 龚海梅. 2008: 碲镉汞焦平面光伏器件的实时γ辐照效应研究, 物理学报, 57(11): 7088-7093. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.061
引用本文: 乔辉, 廖毅, 胡伟达, 邓屹, 袁永刚, 张勤耀, 李向阳, 龚海梅. 2008: 碲镉汞焦平面光伏器件的实时γ辐照效应研究, 物理学报, 57(11): 7088-7093. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.061
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Qiao Hui, Liao Yi, Hu Wei-Da, Deng Yi, Yuan Yong-Gang, Zhang Qin-Yao, Li Xiang-Yang, Gong Hai-Mei. 2008: Real-time study of γ irradiation on Hg1-xCdxTe focal plane photodiodes, Acta Physica Sinica, 57(11): 7088-7093. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.061
Citation: Qiao Hui, Liao Yi, Hu Wei-Da, Deng Yi, Yuan Yong-Gang, Zhang Qin-Yao, Li Xiang-Yang, Gong Hai-Mei. 2008: Real-time study of γ irradiation on Hg1-xCdxTe focal plane photodiodes, Acta Physica Sinica, 57(11): 7088-7093. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.061
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碲镉汞焦平面光伏器件的实时γ辐照效应研究

  • 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083

  • 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100049

Real-time study of γ irradiation on Hg1-xCdxTe focal plane photodiodes

  • 摘要: 对碲镉汞长波和中波焦平面光伏器件进行了实时γ射线辐照效应研究,通过辐照过程中实时测试器件的电流-电压特性,发现随着辐照剂量的增加,中波器件比长波器件表现出更好的抗辐照能力.对于长波器件,随着辐照剂量的增大,能够反映器件性能的零偏电阻逐渐降低;对于中波器件,零偏电阻随着辐照剂量的增加无固定变化趋势,辐照效应主要表现在电阻-电压曲线随着辐照剂量增加出现越来越明显的扰动.根据光伏器件的暗电流机理,对长波器件的电阻-电压曲线进行数值拟合,发现辐照引起少子产生-复合寿命逐渐降低,缺陷密度逐渐增大,主要影响的电流机理为产生-复合电流.由于中波器件材料的载流子迁移率比长波器件低,掺杂浓度比长波器件高,禁带宽度几乎是长波器件的两倍,导致中波器件的辐照效应弱于长波器件,但辐照引起的电阻-电压曲线扰动说明辐照会引起中波器件噪声的增加.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-11-30

碲镉汞焦平面光伏器件的实时γ辐照效应研究

  • 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083
  • 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100049

摘要: 对碲镉汞长波和中波焦平面光伏器件进行了实时γ射线辐照效应研究,通过辐照过程中实时测试器件的电流-电压特性,发现随着辐照剂量的增加,中波器件比长波器件表现出更好的抗辐照能力.对于长波器件,随着辐照剂量的增大,能够反映器件性能的零偏电阻逐渐降低;对于中波器件,零偏电阻随着辐照剂量的增加无固定变化趋势,辐照效应主要表现在电阻-电压曲线随着辐照剂量增加出现越来越明显的扰动.根据光伏器件的暗电流机理,对长波器件的电阻-电压曲线进行数值拟合,发现辐照引起少子产生-复合寿命逐渐降低,缺陷密度逐渐增大,主要影响的电流机理为产生-复合电流.由于中波器件材料的载流子迁移率比长波器件低,掺杂浓度比长波器件高,禁带宽度几乎是长波器件的两倍,导致中波器件的辐照效应弱于长波器件,但辐照引起的电阻-电压曲线扰动说明辐照会引起中波器件噪声的增加.

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