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单空位缺陷对石墨纳米带电子结构和输运性质的影响

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欧阳方平, 王焕友, 李明君, 肖金, 徐慧. 2008: 单空位缺陷对石墨纳米带电子结构和输运性质的影响, 物理学报, 57(11): 7132-7138. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.068
引用本文: 欧阳方平, 王焕友, 李明君, 肖金, 徐慧. 2008: 单空位缺陷对石墨纳米带电子结构和输运性质的影响, 物理学报, 57(11): 7132-7138. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.068
shu
Ouyang Fang-Ping, Wang Huan-You, Li Ming-Jun, Xiao Jin, Xu Hui. 2008: Study on electronic structure and transport properties of graphene nanoribbons with single vacancy defects, Acta Physica Sinica, 57(11): 7132-7138. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.068
Citation: Ouyang Fang-Ping, Wang Huan-You, Li Ming-Jun, Xiao Jin, Xu Hui. 2008: Study on electronic structure and transport properties of graphene nanoribbons with single vacancy defects, Acta Physica Sinica, 57(11): 7132-7138. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.068
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单空位缺陷对石墨纳米带电子结构和输运性质的影响

  • 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083

  • 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083;湘南学院物理系,郴州,423000

Study on electronic structure and transport properties of graphene nanoribbons with single vacancy defects

  • 摘要: 基于第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了单空位缺陷对单层石墨纳米带(包括zigzag型和armchair型带)电子性质的影响.研究发现,单空位缺陷使石墨纳米带在费米面上出现一平直的缺陷态能带;单空位缺陷的引入使zigzag型半导体性的石墨纳米带变为金属性,这在能带工程中有重要的应用价值;奇数宽度的armchair型石墨纳米带表现出金属特性,有着很好的导电性能,同时,偶数宽度的armchair型石墨带虽有金属性的能带结构,但却有类似半导体的伏安特性;单空位缺陷使得奇数宽度的armchair石墨纳米带导电性能减弱,使得偶数宽度的armchair石墨纳米带导电性能明显增强.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-11-30

单空位缺陷对石墨纳米带电子结构和输运性质的影响

  • 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083
  • 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083;湘南学院物理系,郴州,423000

摘要: 基于第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了单空位缺陷对单层石墨纳米带(包括zigzag型和armchair型带)电子性质的影响.研究发现,单空位缺陷使石墨纳米带在费米面上出现一平直的缺陷态能带;单空位缺陷的引入使zigzag型半导体性的石墨纳米带变为金属性,这在能带工程中有重要的应用价值;奇数宽度的armchair型石墨纳米带表现出金属特性,有着很好的导电性能,同时,偶数宽度的armchair型石墨带虽有金属性的能带结构,但却有类似半导体的伏安特性;单空位缺陷使得奇数宽度的armchair石墨纳米带导电性能减弱,使得偶数宽度的armchair石墨纳米带导电性能明显增强.

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