沉积参数对SiNx薄膜结构及阻透性能的影响

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丁万昱, 王华林, 苗壮, 张俊计, 柴卫平. 2009: 沉积参数对SiNx薄膜结构及阻透性能的影响, 物理学报, 58(1): 432-437. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.067
引用本文: 丁万昱, 王华林, 苗壮, 张俊计, 柴卫平. 2009: 沉积参数对SiNx薄膜结构及阻透性能的影响, 物理学报, 58(1): 432-437. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.067
Ding Wan-Yu, Wang Hua-Lin, Miao Zhuang, Zhang Jun-Ji, Chai Wei-Ping. 2009: Influence of deposition parameter on chemical structure and moisture resistant properties for SiNx films deposited by DC pulse magnetron, Acta Physica Sinica, 58(1): 432-437. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.067
Citation: Ding Wan-Yu, Wang Hua-Lin, Miao Zhuang, Zhang Jun-Ji, Chai Wei-Ping. 2009: Influence of deposition parameter on chemical structure and moisture resistant properties for SiNx films deposited by DC pulse magnetron, Acta Physica Sinica, 58(1): 432-437. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.067

沉积参数对SiNx薄膜结构及阻透性能的影响

Influence of deposition parameter on chemical structure and moisture resistant properties for SiNx films deposited by DC pulse magnetron

  • 摘要: 利用直流脉冲磁控溅射法在室温下制备无氢SiNx,薄膜.通过傅里叶变换红外光谱、台阶仪、紫外一可见分光光度计、接触角测量仪、透湿测试仪等表征技术,分析了N2流量、Si靶溅射功率等实验参数对SiNx薄膜成分、结构、及阻透性能、透光性能、接触角等性能的影响.研究结果表明,Si靶溅射功率固定时,在低N2流量条件下,或N2流量固定时,在高Si靶溅射功率条件下,制备的SiN,薄膜中Si-N键含量高,结构致密,薄膜对H2O的阻透性能优良,随着N2流量的增加或者Si靶溅射功率的降低,SiNx,薄膜成分、结构发生变化,红外光谱发生偏移,其对H2O的阻透性能下降.在N2流量为6 sccm,Si靶溅射功率为300 W时制备的SiN,薄膜在可见光波段透过率超过97.5%,对H2O的接触角为30,同时其对H2O的渗透系数最低,为0.764,综合性能满足柔性有机电致发光器件封装用阻透膜的要求,因此SiNx薄膜有望成为新一代柔性有机电致发光器件封装用阻透材料.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-01-30

沉积参数对SiNx薄膜结构及阻透性能的影响

  • 光电材料与器件研究所,大连交通大学,大连,116028;材料科学与工程学院,大连交通大学,大连,116028
  • 国家包装产品质量监督检验中心,大连,116028

摘要: 利用直流脉冲磁控溅射法在室温下制备无氢SiNx,薄膜.通过傅里叶变换红外光谱、台阶仪、紫外一可见分光光度计、接触角测量仪、透湿测试仪等表征技术,分析了N2流量、Si靶溅射功率等实验参数对SiNx薄膜成分、结构、及阻透性能、透光性能、接触角等性能的影响.研究结果表明,Si靶溅射功率固定时,在低N2流量条件下,或N2流量固定时,在高Si靶溅射功率条件下,制备的SiN,薄膜中Si-N键含量高,结构致密,薄膜对H2O的阻透性能优良,随着N2流量的增加或者Si靶溅射功率的降低,SiNx,薄膜成分、结构发生变化,红外光谱发生偏移,其对H2O的阻透性能下降.在N2流量为6 sccm,Si靶溅射功率为300 W时制备的SiN,薄膜在可见光波段透过率超过97.5%,对H2O的接触角为30,同时其对H2O的渗透系数最低,为0.764,综合性能满足柔性有机电致发光器件封装用阻透膜的要求,因此SiNx薄膜有望成为新一代柔性有机电致发光器件封装用阻透材料.

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