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第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN

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邢海英, 范广涵, 章勇, 赵德刚. 2009: 第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN, 物理学报, 58(1): 450-458. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.070
引用本文: 邢海英, 范广涵, 章勇, 赵德刚. 2009: 第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN, 物理学报, 58(1): 450-458. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.070
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Xing Hai-Ying, Fan Guang-Han, Zhang Yong, Zhao De-Gang. 2009: First principle study of Mg,Si and Mn CO-doped GaN, Acta Physica Sinica, 58(1): 450-458. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.070
Citation: Xing Hai-Ying, Fan Guang-Han, Zhang Yong, Zhao De-Gang. 2009: First principle study of Mg,Si and Mn CO-doped GaN, Acta Physica Sinica, 58(1): 450-458. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.070
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第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN

  • 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631

  • 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083

First principle study of Mg,Si and Mn CO-doped GaN

  • 摘要: 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg,Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质,分析比较计算结果.计算表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较,Mg共掺后能使居里温度(Tc)升高,并在1.0 eV出现源于Mn4+离子基态4T1(F)到4T2(F)态跃迁的较强的光吸收,而Mn掺杂GaN时位于1.3 eV处的吸收峰消失;Si共掺后没能使Tc升高,且在低能区无光吸收现象.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-01-30

第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN

  • 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631
  • 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083

摘要: 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg,Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质,分析比较计算结果.计算表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较,Mg共掺后能使居里温度(Tc)升高,并在1.0 eV出现源于Mn4+离子基态4T1(F)到4T2(F)态跃迁的较强的光吸收,而Mn掺杂GaN时位于1.3 eV处的吸收峰消失;Si共掺后没能使Tc升高,且在低能区无光吸收现象.

English Abstract

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