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GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装InAs量子点的生长

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蒋中伟, 王文新, 高汉超, 李辉, He Tao, Yang Cheng-Liang, Chen Hong, Zhou Jun-Ming. 2009: GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装InAs量子点的生长, 物理学报, 58(1): 471-476. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.073
引用本文: 蒋中伟, 王文新, 高汉超, 李辉, He Tao, Yang Cheng-Liang, Chen Hong, Zhou Jun-Ming. 2009: GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装InAs量子点的生长, 物理学报, 58(1): 471-476. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.073
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Jiang Zhong-Wei, Wang Wen-Xin, Gao Han-Chao, Li Hui, He Tao, Yang Cheng-Liang, Chen Hong, Zhou Jun-Ming. 2009: Effect of the GaAs/GaSb combination strain-buffer layer on self-assembled InAs quantum dots, Acta Physica Sinica, 58(1): 471-476. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.073
Citation: Jiang Zhong-Wei, Wang Wen-Xin, Gao Han-Chao, Li Hui, He Tao, Yang Cheng-Liang, Chen Hong, Zhou Jun-Ming. 2009: Effect of the GaAs/GaSb combination strain-buffer layer on self-assembled InAs quantum dots, Acta Physica Sinica, 58(1): 471-476. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.073
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GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装InAs量子点的生长

  • 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100190

Effect of the GaAs/GaSb combination strain-buffer layer on self-assembled InAs quantum dots

  • 摘要: 研究了GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装生长的InAs量子点.在2 ML GaSb/1ML GaAs复合应力缓冲层上获得了高密度的、沿[100]方向择优分布量子点.随着复合应力缓冲层中GaAs层厚度的不同,量子点的密度可以在1.2×1010 cm-2和8×1010cm-2进行调控.适当增加GaAs层的厚度至5 ML,量子点的发光波长红移了约25 nm,室温下PL光谱波长接近1300 nm.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-01-30

GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装InAs量子点的生长

  • 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100190

摘要: 研究了GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装生长的InAs量子点.在2 ML GaSb/1ML GaAs复合应力缓冲层上获得了高密度的、沿[100]方向择优分布量子点.随着复合应力缓冲层中GaAs层厚度的不同,量子点的密度可以在1.2×1010 cm-2和8×1010cm-2进行调控.适当增加GaAs层的厚度至5 ML,量子点的发光波长红移了约25 nm,室温下PL光谱波长接近1300 nm.

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