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氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

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邱胜桦, 陈城钊, 刘翠青, 吴燕丹, 李平, 林璇英, 黄种, 余楚迎. 2009: 氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响, 物理学报, 58(1): 565-569. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.089
引用本文: 邱胜桦, 陈城钊, 刘翠青, 吴燕丹, 李平, 林璇英, 黄种, 余楚迎. 2009: 氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响, 物理学报, 58(1): 565-569. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.089
shu
Qiu Sheng-Hua, Chen Cheng-Zhao, Liu Cui-Qing, Wu Yuan-Dan, Li Ping, Lin Xuan-Ying, Huang Chong, Yu Chu-Yi. 2009: Effect of hydrogen dilution on crystalline properties of nano-crystalline silicon thin films in fast growth, Acta Physica Sinica, 58(1): 565-569. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.089
Citation: Qiu Sheng-Hua, Chen Cheng-Zhao, Liu Cui-Qing, Wu Yuan-Dan, Li Ping, Lin Xuan-Ying, Huang Chong, Yu Chu-Yi. 2009: Effect of hydrogen dilution on crystalline properties of nano-crystalline silicon thin films in fast growth, Acta Physica Sinica, 58(1): 565-569. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.089
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氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

  • 韩山师范学院物理与电子工程系,潮州,521041

  • 韩山师范学院物理与电子工程系,潮州,521041;汕头大学物理系,汕头,515063

  • 汕头大学物理系,汕头,515063

Effect of hydrogen dilution on crystalline properties of nano-crystalline silicon thin films in fast growth

  • 摘要: 以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的压强(230 Pa)下,研究氢稀释率对纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响.实验表明,薄膜的晶化率,晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加,当氢稀释率为99%,薄膜的晶化率接近70%.而沉积速率却随着氢稀释率的减小而增加,当氢稀释率从99%减小到95%时,薄膜的沉积速率由0.3 nm/s增加至0.8 nm/s.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-01-30

氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

  • 韩山师范学院物理与电子工程系,潮州,521041
  • 韩山师范学院物理与电子工程系,潮州,521041;汕头大学物理系,汕头,515063
  • 汕头大学物理系,汕头,515063

摘要: 以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的压强(230 Pa)下,研究氢稀释率对纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响.实验表明,薄膜的晶化率,晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加,当氢稀释率为99%,薄膜的晶化率接近70%.而沉积速率却随着氢稀释率的减小而增加,当氢稀释率从99%减小到95%时,薄膜的沉积速率由0.3 nm/s增加至0.8 nm/s.

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