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CHx掺杂SiCOH低介电常数薄膜的物性热稳定性分析

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杜杰, 叶超, 俞笑竹, 张海燕, 宁兆元. 2009: CHx掺杂SiCOH低介电常数薄膜的物性热稳定性分析, 物理学报, 58(1): 575-579. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.091
引用本文: 杜杰, 叶超, 俞笑竹, 张海燕, 宁兆元. 2009: CHx掺杂SiCOH低介电常数薄膜的物性热稳定性分析, 物理学报, 58(1): 575-579. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.091
shu
Du Jie, Ye Chao, Yu Xiao-Zhu, Zhang Hai-Yan, Ning Zhao-Yuan. 2009: Thermal stability of structure and properties of CHx doped SiCOH low dielectric constant films, Acta Physica Sinica, 58(1): 575-579. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.091
Citation: Du Jie, Ye Chao, Yu Xiao-Zhu, Zhang Hai-Yan, Ning Zhao-Yuan. 2009: Thermal stability of structure and properties of CHx doped SiCOH low dielectric constant films, Acta Physica Sinica, 58(1): 575-579. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.091
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CHx掺杂SiCOH低介电常数薄膜的物性热稳定性分析

  • 苏州大学物理科学与技术学院,江苏省薄膜材料实验室,苏州,215006

  • 上海交通大学物理系,上海,200030

Thermal stability of structure and properties of CHx doped SiCOH low dielectric constant films

  • 摘要: 研究了真空热处理对掺CH.的SiCOH低介电常数薄膜的电流.电压(I-V)特性、电容.电压(C-V)特性、疏水性能以及微结构的影响.结果表明:在热处理过程中,热稳定性较差的碳氢基团发生了热解吸,使薄膜的漏电流减小、绝缘性能改善,并使薄膜的导电行为更趋于空间电荷限流过程.碳氢基团的热解吸使SiCOH/Si界面的界面态发生改变,导致SiCOH薄膜MIS结构的平带电压VFB发生漂移.封端的碳氢基团热解吸使薄膜表面的开口孔结构减少,薄膜表面变得更平整.但是碳氢基团为疏水基团,其热解吸导致薄膜的疏水性能降低.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-01-30

CHx掺杂SiCOH低介电常数薄膜的物性热稳定性分析

  • 苏州大学物理科学与技术学院,江苏省薄膜材料实验室,苏州,215006
  • 上海交通大学物理系,上海,200030

摘要: 研究了真空热处理对掺CH.的SiCOH低介电常数薄膜的电流.电压(I-V)特性、电容.电压(C-V)特性、疏水性能以及微结构的影响.结果表明:在热处理过程中,热稳定性较差的碳氢基团发生了热解吸,使薄膜的漏电流减小、绝缘性能改善,并使薄膜的导电行为更趋于空间电荷限流过程.碳氢基团的热解吸使SiCOH/Si界面的界面态发生改变,导致SiCOH薄膜MIS结构的平带电压VFB发生漂移.封端的碳氢基团热解吸使薄膜表面的开口孔结构减少,薄膜表面变得更平整.但是碳氢基团为疏水基团,其热解吸导致薄膜的疏水性能降低.

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