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不同气氛下SiOx纳米线的制备及形貌、红外、光致发光研究

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郑立仁, 黄柏标, 尉吉勇. 2009: 不同气氛下SiOx纳米线的制备及形貌、红外、光致发光研究, 物理学报, 58(4): 2306-2312. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.029
引用本文: 郑立仁, 黄柏标, 尉吉勇. 2009: 不同气氛下SiOx纳米线的制备及形貌、红外、光致发光研究, 物理学报, 58(4): 2306-2312. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.029
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Zheng Li-Ren, Huang Bai-Biao, Wei Ji-Yong. 2009: Preparation of SiOx nanowires in different atmosphere, their morphology, PL and FTIR properties, Acta Physica Sinica, 58(4): 2306-2312. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.029
Citation: Zheng Li-Ren, Huang Bai-Biao, Wei Ji-Yong. 2009: Preparation of SiOx nanowires in different atmosphere, their morphology, PL and FTIR properties, Acta Physica Sinica, 58(4): 2306-2312. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.029
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不同气氛下SiOx纳米线的制备及形貌、红外、光致发光研究

  • 泰山学院物理与电子科学系,泰安,271021;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

  • 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

  • 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学化学与化工学院,济南,250100

Preparation of SiOx nanowires in different atmosphere, their morphology, PL and FTIR properties

  • 摘要: 以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20-300 nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线.制备得到的纳米线具有高度定向生长的特性.利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜及电子能谱对SiOx纳米线的形貌及组分进行了分析,Si与O原子之比为1∶1.8.傅里叶红外吸收谱显示了非晶氧化硅的三个特征峰(482,806和1095 cm-1)及1132 cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.SiOx纳米线光致发光光谱(PL)在440 nm(2.83 eV)处具有较强的荧光峰;N2为载气生长的SiOx纳米线的PL峰强比NH3为载气生长的SiOx纳米线峰强大四个数量级.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-04-30

不同气氛下SiOx纳米线的制备及形貌、红外、光致发光研究

  • 泰山学院物理与电子科学系,泰安,271021;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
  • 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
  • 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学化学与化工学院,济南,250100

摘要: 以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20-300 nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线.制备得到的纳米线具有高度定向生长的特性.利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜及电子能谱对SiOx纳米线的形貌及组分进行了分析,Si与O原子之比为1∶1.8.傅里叶红外吸收谱显示了非晶氧化硅的三个特征峰(482,806和1095 cm-1)及1132 cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.SiOx纳米线光致发光光谱(PL)在440 nm(2.83 eV)处具有较强的荧光峰;N2为载气生长的SiOx纳米线的PL峰强比NH3为载气生长的SiOx纳米线峰强大四个数量级.

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