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淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究

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邢艳辉, 韩军, 邓军, 李建军, 沈光地. 2009: 淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究, 物理学报, 58(4): 2644-2648. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.080
引用本文: 邢艳辉, 韩军, 邓军, 李建军, 沈光地. 2009: 淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究, 物理学报, 58(4): 2644-2648. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.080
shu
Xing Yan-Hui, Han Jun, Deng Jun, Li Jian-Jun, Shen Guang-Di. 2009: Investigation of n-type GaN deposited on sapphire substrate with different small misorientations, Acta Physica Sinica, 58(4): 2644-2648. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.080
Citation: Xing Yan-Hui, Han Jun, Deng Jun, Li Jian-Jun, Shen Guang-Di. 2009: Investigation of n-type GaN deposited on sapphire substrate with different small misorientations, Acta Physica Sinica, 58(4): 2644-2648. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.080
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淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究

  • 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124

Investigation of n-type GaN deposited on sapphire substrate with different small misorientations

  • 摘要: 采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°-0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表面台阶朝向相同、分布均匀,明显地看到在0°倾角衬底的n型GaN表面由台阶重构直接导致的台阶朝向随机分布、疏密不匀的形貌.电子背散射分析表明,在0°倾角衬底的n型GaN外延层的应力随外延厚度增加而增加,而0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN外延层的应力没有明显的变化.电学和光学特性研究表明,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN有较高的电子浓度和较低的黄光带与近带边强度之比.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-04-30

淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究

  • 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124

摘要: 采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°-0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表面台阶朝向相同、分布均匀,明显地看到在0°倾角衬底的n型GaN表面由台阶重构直接导致的台阶朝向随机分布、疏密不匀的形貌.电子背散射分析表明,在0°倾角衬底的n型GaN外延层的应力随外延厚度增加而增加,而0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN外延层的应力没有明显的变化.电学和光学特性研究表明,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN有较高的电子浓度和较低的黄光带与近带边强度之比.

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