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介质表面高功率微波击穿的数值模拟

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蔡利兵, 王建国. 2009: 介质表面高功率微波击穿的数值模拟, 物理学报, 58(5): 3268-3273. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.062
引用本文: 蔡利兵, 王建国. 2009: 介质表面高功率微波击穿的数值模拟, 物理学报, 58(5): 3268-3273. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.062
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Cai Li-Bing, Wang Jian-Guo. 2009: Numerical simulation of the breakdown on HPM dielectric surface, Acta Physica Sinica, 58(5): 3268-3273. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.062
Citation: Cai Li-Bing, Wang Jian-Guo. 2009: Numerical simulation of the breakdown on HPM dielectric surface, Acta Physica Sinica, 58(5): 3268-3273. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.062
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介质表面高功率微波击穿的数值模拟

  • 西北核技术研究所,西安,710024

  • 西北核技术研究所,西安,710024;西安交通大学电子与信息工程学院,西安,710049

Numerical simulation of the breakdown on HPM dielectric surface

  • 摘要: 研究了用于模拟高功率微波条件下介质表面击穿的静电PIC-MCC模型,并通过自行编写的数值模拟程序模拟了真空及不同气压条件下介质表面击穿过程中的次级电子倍增和气体电离等过程.模拟结果发现,在真空及低气压条件下,电子的主要来源是次级电子倍增,电子数量以两倍于入射场的频率振荡;在高气压情况下,电子的主要来源是气体电离.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-05-30

介质表面高功率微波击穿的数值模拟

  • 西北核技术研究所,西安,710024
  • 西北核技术研究所,西安,710024;西安交通大学电子与信息工程学院,西安,710049

摘要: 研究了用于模拟高功率微波条件下介质表面击穿的静电PIC-MCC模型,并通过自行编写的数值模拟程序模拟了真空及不同气压条件下介质表面击穿过程中的次级电子倍增和气体电离等过程.模拟结果发现,在真空及低气压条件下,电子的主要来源是次级电子倍增,电子数量以两倍于入射场的频率振荡;在高气压情况下,电子的主要来源是气体电离.

English Abstract

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