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栅极调制纳米线的场增强因子计算

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雷达, 王维彪, 曾乐勇, 梁静秋. 2009: 栅极调制纳米线的场增强因子计算, 物理学报, 58(5): 3383-3389. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.079
引用本文: 雷达, 王维彪, 曾乐勇, 梁静秋. 2009: 栅极调制纳米线的场增强因子计算, 物理学报, 58(5): 3383-3389. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.079
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Lei Da, Wang Wei-Biao, Zeng Le-Yong, Liang Jing-Qiu. 2009: Calculation of field enhancement factor of gated nanowire, Acta Physica Sinica, 58(5): 3383-3389. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.079
Citation: Lei Da, Wang Wei-Biao, Zeng Le-Yong, Liang Jing-Qiu. 2009: Calculation of field enhancement factor of gated nanowire, Acta Physica Sinica, 58(5): 3383-3389. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.079
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栅极调制纳米线的场增强因子计算

  • 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春,130033;中国科学院研究生院,北京,100049

  • 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春,130033

  • 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,长春,130033

Calculation of field enhancement factor of gated nanowire

  • 摘要: 利用悬浮球模型和镜像电荷法计算了栅极调制纳米线的顶端表面电场,给出了场发射增强因子表达式β=(1)/(2)(3.5+L/r0+W),式中L与r0分别是纳米线长度与顶端表面曲率半径,W是由栅孔半径R、阴极与栅极间距d以及纳米线自身几何参数所决定的函数.结果表明,纳米线长径比对场增强因子的影响很显著;当阴极与栅极间距较近时,场增强因子随d的增加而减小,而当栅极处于无穷远时,纳米线场增强因子的表示式变成β0=3.5+L/r0;栅孔半径越小,场增强因子就越大,当栅孔半径趋于零时,场增强因子为β＝β0+1.202(L/d)3.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-05-30

栅极调制纳米线的场增强因子计算

  • 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春,130033;中国科学院研究生院,北京,100049
  • 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春,130033
  • 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,长春,130033

摘要: 利用悬浮球模型和镜像电荷法计算了栅极调制纳米线的顶端表面电场,给出了场发射增强因子表达式β=(1)/(2)(3.5+L/r0+W),式中L与r0分别是纳米线长度与顶端表面曲率半径,W是由栅孔半径R、阴极与栅极间距d以及纳米线自身几何参数所决定的函数.结果表明,纳米线长径比对场增强因子的影响很显著;当阴极与栅极间距较近时,场增强因子随d的增加而减小,而当栅极处于无穷远时,纳米线场增强因子的表示式变成β0=3.5+L/r0;栅孔半径越小,场增强因子就越大,当栅孔半径趋于零时,场增强因子为β＝β0+1.202(L/d)3.

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