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基于NPB的垂直构型有机发光晶体管的光电特性研究

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杨盛谊, 杜文树, 齐洁茹, 娄志东. 2009: 基于NPB的垂直构型有机发光晶体管的光电特性研究, 物理学报, 58(5): 3427-3432. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.086
引用本文: 杨盛谊, 杜文树, 齐洁茹, 娄志东. 2009: 基于NPB的垂直构型有机发光晶体管的光电特性研究, 物理学报, 58(5): 3427-3432. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.086
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Yang Sheng-Yi, Du Wen-Shu, Qi Jie-Ru, Lou Zhi-Dong. 2009: Optoelectronic characteristics of NPB-based vertical organic light-emitting transistors, Acta Physica Sinica, 58(5): 3427-3432. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.086
Citation: Yang Sheng-Yi, Du Wen-Shu, Qi Jie-Ru, Lou Zhi-Dong. 2009: Optoelectronic characteristics of NPB-based vertical organic light-emitting transistors, Acta Physica Sinica, 58(5): 3427-3432. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.086
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基于NPB的垂直构型有机发光晶体管的光电特性研究

  • 北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044

Optoelectronic characteristics of NPB-based vertical organic light-emitting transistors

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出版历程
  • 刊出日期:  2009-05-30

基于NPB的垂直构型有机发光晶体管的光电特性研究

  • 北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044

摘要: nm)/Al中的不同位置对器件光电特性的影响来研究器件漏电流较大的原因以及器件中具体的载流子过程.充分证明了栅极注入的空穴对沟道中的电流有贡献.进而通过用LiF薄层修饰漏极来增强电子的注入并减小漏电流,得到了相对稳定的发光晶体管器件,其发光强度有很大提高并可很好地由栅极电压来进行调控.更换发光材料层容易得到不同颜色的发光晶体管.

English Abstract

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