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负脉冲激励下PLZST电子发射特征及发射机理研究

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张琳丽, 徐卓, 冯玉军, 盛兆玄. 2009: 负脉冲激励下PLZST电子发射特征及发射机理研究, 物理学报, 58(6): 4249-4253. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.06.100
引用本文: 张琳丽, 徐卓, 冯玉军, 盛兆玄. 2009: 负脉冲激励下PLZST电子发射特征及发射机理研究, 物理学报, 58(6): 4249-4253. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.06.100
shu
Zhang Lin-Li, Xu Zhuo, Feng Yu-Jun, Sheng Zhao-Xuan. 2009: Characteristics of electron emission from La-doped Pb(Zr,Sn,Ti)O3 antiferroelectric cathode under negative triggering pulse, Acta Physica Sinica, 58(6): 4249-4253. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.06.100
Citation: Zhang Lin-Li, Xu Zhuo, Feng Yu-Jun, Sheng Zhao-Xuan. 2009: Characteristics of electron emission from La-doped Pb(Zr,Sn,Ti)O3 antiferroelectric cathode under negative triggering pulse, Acta Physica Sinica, 58(6): 4249-4253. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.06.100
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负脉冲激励下PLZST电子发射特征及发射机理研究

  • 西安建筑科技大学物理系,西安,710055;西安交通大学电子材料与器件教育部重点实验室,西安,710049

  • 西安交通大学电子材料与器件教育部重点实验室,西安,710049

Characteristics of electron emission from La-doped Pb(Zr,Sn,Ti)O3 antiferroelectric cathode under negative triggering pulse

  • 摘要: 采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的掺镧锆锡钛酸铅(PLZST)反铁电陶瓷样品.采用该样品作为阴极材料,研究了其在负脉冲激励电场下的电子发射行为.负脉冲激励下,0.5 mm厚PLZST反铁电陶瓷圆片发射阈值电压为500 V;当激励电压为500 V,抽取电压为3.5 kV时,得到690 A发射电流.结果表明,PLZST反铁电陶瓷发射阈值电压低,发射电流大,即使激励电场低于陶瓷的正向开关电场,仍能得到强发射电流.最后,讨论了PLZST反铁电陶瓷在负脉冲激励下电子发射内在机制.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-06-30

负脉冲激励下PLZST电子发射特征及发射机理研究

  • 西安建筑科技大学物理系,西安,710055;西安交通大学电子材料与器件教育部重点实验室,西安,710049
  • 西安交通大学电子材料与器件教育部重点实验室,西安,710049

摘要: 采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的掺镧锆锡钛酸铅(PLZST)反铁电陶瓷样品.采用该样品作为阴极材料,研究了其在负脉冲激励电场下的电子发射行为.负脉冲激励下,0.5 mm厚PLZST反铁电陶瓷圆片发射阈值电压为500 V;当激励电压为500 V,抽取电压为3.5 kV时,得到690 A发射电流.结果表明,PLZST反铁电陶瓷发射阈值电压低,发射电流大,即使激励电场低于陶瓷的正向开关电场,仍能得到强发射电流.最后,讨论了PLZST反铁电陶瓷在负脉冲激励下电子发射内在机制.

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