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不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性

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郑玉展, 陆妩, 任迪远, 王义元, 郭旗, 余学锋, 何承发. 2009: 不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性, 物理学报, 58(8): 5572-5577. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.068
引用本文: 郑玉展, 陆妩, 任迪远, 王义元, 郭旗, 余学锋, 何承发. 2009: 不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性, 物理学报, 58(8): 5572-5577. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.068
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Zheng Yu-Zhan, Lu Wu, Ren Di-Yuan, Wang Yi-Yuan, Guo Qi, Yu Xue-Feng, He Cheng-Fa. 2009: Characteristics of high- and low-dose-rate damage for domestic npn transistors of various emitter areas, Acta Physica Sinica, 58(8): 5572-5577. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.068
Citation: Zheng Yu-Zhan, Lu Wu, Ren Di-Yuan, Wang Yi-Yuan, Guo Qi, Yu Xue-Feng, He Cheng-Fa. 2009: Characteristics of high- and low-dose-rate damage for domestic npn transistors of various emitter areas, Acta Physica Sinica, 58(8): 5572-5577. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.068
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不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性

  • 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;中国科学院研究生院,北京,100049

  • 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011

Characteristics of high- and low-dose-rate damage for domestic npn transistors of various emitter areas

  • 摘要: 影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明,国产npn晶体管具有低剂量率损伤增强效应,且发现当小电流注入下晶体管的辐射损伤会表现得愈加显著.比较三种发射极尺寸的晶体管辐照响应发现,发射极周长面积比P/A越大时晶体管归一化过剩基极电流ΔIB/IB0也越大.详细阐述了npn晶体管辐射损伤机制,从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对npn晶体管的加固保证方法进行了探索.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-08-30

不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性

  • 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;中国科学院研究生院,北京,100049
  • 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011

摘要: 影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明,国产npn晶体管具有低剂量率损伤增强效应,且发现当小电流注入下晶体管的辐射损伤会表现得愈加显著.比较三种发射极尺寸的晶体管辐照响应发现,发射极周长面积比P/A越大时晶体管归一化过剩基极电流ΔIB/IB0也越大.详细阐述了npn晶体管辐射损伤机制,从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对npn晶体管的加固保证方法进行了探索.

English Abstract

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