扶手椅型石墨纳米带的双空位缺陷效应研究

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欧阳方平, 王晓军, 张华, 肖金, 陈灵娜, 徐慧. 2009: 扶手椅型石墨纳米带的双空位缺陷效应研究, 物理学报, 58(8): 5640-5644. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.078
引用本文: 欧阳方平, 王晓军, 张华, 肖金, 陈灵娜, 徐慧. 2009: 扶手椅型石墨纳米带的双空位缺陷效应研究, 物理学报, 58(8): 5640-5644. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.078
Ouyang Fang-Ping, Wang Xiao-Jun, Zhang Hua, Xiao Jin, Chen Ling-Na, Xu Hui. 2009: The divacancy-defect effect of armchair graphene nanoribbons, Acta Physica Sinica, 58(8): 5640-5644. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.078
Citation: Ouyang Fang-Ping, Wang Xiao-Jun, Zhang Hua, Xiao Jin, Chen Ling-Na, Xu Hui. 2009: The divacancy-defect effect of armchair graphene nanoribbons, Acta Physica Sinica, 58(8): 5640-5644. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.078

扶手椅型石墨纳米带的双空位缺陷效应研究

The divacancy-defect effect of armchair graphene nanoribbons

  • 摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了扶手椅型石墨纳米带(具有锯齿边缘)的双空位缺陷效应.研究发现:双空位缺陷的存在并没有改变石墨纳米带的金属特性,但改变了费米面附近的能带结构.同时,双空位缺陷的取向对石墨纳米带的输运性质有很重要的影响.对于奇数宽度的纳米带,斜向双空位缺陷使得石墨带导电性能减弱,而垂直双空位能基本保留原有的线性伏安特性,导电性能降低较少;对于偶数宽度的纳米带,斜向双空位缺陷会使石墨带导电性能明显增强,而垂直双空位缺陷则具有完整石墨带的输运性质.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-08-30

扶手椅型石墨纳米带的双空位缺陷效应研究

  • 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083
  • 井冈山大学工学院,吉安,343009

摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了扶手椅型石墨纳米带(具有锯齿边缘)的双空位缺陷效应.研究发现:双空位缺陷的存在并没有改变石墨纳米带的金属特性,但改变了费米面附近的能带结构.同时,双空位缺陷的取向对石墨纳米带的输运性质有很重要的影响.对于奇数宽度的纳米带,斜向双空位缺陷使得石墨带导电性能减弱,而垂直双空位能基本保留原有的线性伏安特性,导电性能降低较少;对于偶数宽度的纳米带,斜向双空位缺陷会使石墨带导电性能明显增强,而垂直双空位缺陷则具有完整石墨带的输运性质.

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