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单晶Cu冲击加载及卸载下塑性行为的微观模拟

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何安民, 邵建立, 秦承森, 王裴. 2009: 单晶Cu冲击加载及卸载下塑性行为的微观模拟, 物理学报, 58(8): 5667-5672. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.082
引用本文: 何安民, 邵建立, 秦承森, 王裴. 2009: 单晶Cu冲击加载及卸载下塑性行为的微观模拟, 物理学报, 58(8): 5667-5672. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.082
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He An-Min, Shao Jian-Li, Qin Cheng-Sen, Wang Pei. 2009: Molecular dynamics study on the plastic behavior of monocrystalline copper under shock loading and unloading, Acta Physica Sinica, 58(8): 5667-5672. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.082
Citation: He An-Min, Shao Jian-Li, Qin Cheng-Sen, Wang Pei. 2009: Molecular dynamics study on the plastic behavior of monocrystalline copper under shock loading and unloading, Acta Physica Sinica, 58(8): 5667-5672. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.082
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单晶Cu冲击加载及卸载下塑性行为的微观模拟

  • 北京应用物理与计算数学研究所,北京,100088

Molecular dynamics study on the plastic behavior of monocrystalline copper under shock loading and unloading

  • 摘要: 使用分子动力学方法对室温下单晶铜沿[001]和[111]方向冲击加载及卸载下的塑性行为进行了模拟,得到了Hugoniot关系以及冲击熔化压力,与实验基本符合.加载过程中,较高的初始温度有利于位错的形核与发展.通过对冲击波在自由表面卸载过程的模拟和分析发现:卸载过程呈现"准弹性卸载行为";沿[001]方向卸载后大量不全位错环与堆积层错消失,而沿[111]方向卸载后只有少量层错消失,部分层错甚至会发展扩大.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-08-30

单晶Cu冲击加载及卸载下塑性行为的微观模拟

  • 北京应用物理与计算数学研究所,北京,100088

摘要: 使用分子动力学方法对室温下单晶铜沿[001]和[111]方向冲击加载及卸载下的塑性行为进行了模拟,得到了Hugoniot关系以及冲击熔化压力,与实验基本符合.加载过程中,较高的初始温度有利于位错的形核与发展.通过对冲击波在自由表面卸载过程的模拟和分析发现:卸载过程呈现"准弹性卸载行为";沿[001]方向卸载后大量不全位错环与堆积层错消失,而沿[111]方向卸载后只有少量层错消失,部分层错甚至会发展扩大.

English Abstract

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