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GaN/AlGaN双带红外探测及光子频率上转换研究

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周利刚, 沈文忠. 2009: GaN/AlGaN双带红外探测及光子频率上转换研究, 物理学报, 58(10): 6863-6872. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.033
引用本文: 周利刚, 沈文忠. 2009: GaN/AlGaN双带红外探测及光子频率上转换研究, 物理学报, 58(10): 6863-6872. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.033
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Zhou Li-Gang, Shen Wen-Zhong. 2009: GaN/AlGaN dual-band infrared detection and photon frequency upconversion, Acta Physica Sinica, 58(10): 6863-6872. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.033
Citation: Zhou Li-Gang, Shen Wen-Zhong. 2009: GaN/AlGaN dual-band infrared detection and photon frequency upconversion, Acta Physica Sinica, 58(10): 6863-6872. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.033
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GaN/AlGaN双带红外探测及光子频率上转换研究

  • 上海交通大学物理系,凝聚态光谱与光电子物理实验室,上海,200240

GaN/AlGaN dual-band infrared detection and photon frequency upconversion

  • 摘要: 研究了GaN/AlGaN异质结构中的双带(中、远)红外探测及光子频率上转换特性.通过光致发光光谱确认GaN/AlGaN探测器结构中AlGaN本征层的Al组分,讨论了不同Al组分GaN/AlGaN异质结的导带带阶界面功函数差.在拟合单周期GaN/AlGaN探测器中红外和远红外波段响应谱的基础上,研究多周期GaN/AlGaN探测器与GaN/AlGaN发光二极管集成结构的中红外和远红外光子频率上转换效率与GaN发射层厚度、AlGaN本征层厚度、紫光光子出射效率、内量子效率、空间频率和发射层掺杂浓度间的关系,优化了器件结构参数.研究结果表明,GaN基红外上转换器件具有较高的上转换效率,具备良好的应用前景.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-30

GaN/AlGaN双带红外探测及光子频率上转换研究

  • 上海交通大学物理系,凝聚态光谱与光电子物理实验室,上海,200240

摘要: 研究了GaN/AlGaN异质结构中的双带(中、远)红外探测及光子频率上转换特性.通过光致发光光谱确认GaN/AlGaN探测器结构中AlGaN本征层的Al组分,讨论了不同Al组分GaN/AlGaN异质结的导带带阶界面功函数差.在拟合单周期GaN/AlGaN探测器中红外和远红外波段响应谱的基础上,研究多周期GaN/AlGaN探测器与GaN/AlGaN发光二极管集成结构的中红外和远红外光子频率上转换效率与GaN发射层厚度、AlGaN本征层厚度、紫光光子出射效率、内量子效率、空间频率和发射层掺杂浓度间的关系,优化了器件结构参数.研究结果表明,GaN基红外上转换器件具有较高的上转换效率,具备良好的应用前景.

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