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金属有机物化学气相沉积法生长Ga2(1-χ)In2χO3薄膜的结构及光电性能研究

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杨帆, 马瑾, 孔令沂, 栾彩娜, 朱振. 2009: 金属有机物化学气相沉积法生长Ga2(1-χ)In2χO3薄膜的结构及光电性能研究, 物理学报, 58(10): 7079-7082. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.067
引用本文: 杨帆, 马瑾, 孔令沂, 栾彩娜, 朱振. 2009: 金属有机物化学气相沉积法生长Ga2(1-χ)In2χO3薄膜的结构及光电性能研究, 物理学报, 58(10): 7079-7082. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.067
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Yang Fan, Ma Jin, Kong Ling-Yi, Luan Cai-Na, Zhu Zhen. 2009: Structural, optical and electrical properties of Ga2(1-χ)In2χO3 films prepared by metalorganic chemical vapor deposition, Acta Physica Sinica, 58(10): 7079-7082. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.067
Citation: Yang Fan, Ma Jin, Kong Ling-Yi, Luan Cai-Na, Zhu Zhen. 2009: Structural, optical and electrical properties of Ga2(1-χ)In2χO3 films prepared by metalorganic chemical vapor deposition, Acta Physica Sinica, 58(10): 7079-7082. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.067
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金属有机物化学气相沉积法生长Ga2(1-χ)In2χO3薄膜的结构及光电性能研究

  • 山东大学物理学院,济南,250100

Structural, optical and electrical properties of Ga2(1-χ)In2χO3 films prepared by metalorganic chemical vapor deposition

  • 摘要: 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上制备出了Ga2(1-χ)In2χO3(χ=0.1-0.9)薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明:当In组分χ=0.2时,样品为单斜β-Ga2O3,结构;χ=0.5的样品,薄膜呈现非晶结构,退火处理后薄膜结构得到明显的改善,由非晶结构转变为具有(222)单一取向的立方In2O3结构;对于χ=0.8,薄膜为立方In2O3,结构,退火后薄膜的晶体质量得到提高.在可见光区薄膜本身的透过率均达到了85%以上,带隙宽度随样品中Ga含量的改变在3.76-4.43 eV之间变化,且经退火处理后带隙宽度明显增大.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-30

金属有机物化学气相沉积法生长Ga2(1-χ)In2χO3薄膜的结构及光电性能研究

  • 山东大学物理学院,济南,250100

摘要: 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上制备出了Ga2(1-χ)In2χO3(χ=0.1-0.9)薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明:当In组分χ=0.2时,样品为单斜β-Ga2O3,结构;χ=0.5的样品,薄膜呈现非晶结构,退火处理后薄膜结构得到明显的改善,由非晶结构转变为具有(222)单一取向的立方In2O3结构;对于χ=0.8,薄膜为立方In2O3,结构,退火后薄膜的晶体质量得到提高.在可见光区薄膜本身的透过率均达到了85%以上,带隙宽度随样品中Ga含量的改变在3.76-4.43 eV之间变化,且经退火处理后带隙宽度明显增大.

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