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n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究

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李伟华, 庄奕琪, 杜磊, 包军林. 2009: n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究, 物理学报, 58(10): 7183-7188. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.085
引用本文: 李伟华, 庄奕琪, 杜磊, 包军林. 2009: n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究, 物理学报, 58(10): 7183-7188. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.085
shu
Li Wei-Hua, Zhuang Yi-Qi, Du Lei, Bao Jun-Lin. 2009: Non-Gaussianity of noise in n-type metal oxide semiconductor field effect transistor, Acta Physica Sinica, 58(10): 7183-7188. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.085
Citation: Li Wei-Hua, Zhuang Yi-Qi, Du Lei, Bao Jun-Lin. 2009: Non-Gaussianity of noise in n-type metal oxide semiconductor field effect transistor, Acta Physica Sinica, 58(10): 7183-7188. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.085
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n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

  • 西安电子科技大学技术物理学院,西安,110071

Non-Gaussianity of noise in n-type metal oxide semiconductor field effect transistor

  • 摘要: 基于n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)噪声的数涨落模型,采用高阶统计量双相干系数平方和研究了nMOSFET噪声的非高斯性.通过对nMOSFET实际测试噪声的分析,发现nMOSFET器件噪声存在非高斯性;小尺寸器件噪声的非高斯性强于大尺寸器件;在器件的强反型线性区,其非高斯性随着漏压的增加而增加.文中还通过蒙特卡罗模拟和中心极限定理理论对nMOSFET、噪声的非高斯性作了深入的探讨.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-30

n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
  • 西安电子科技大学技术物理学院,西安,110071

摘要: 基于n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)噪声的数涨落模型,采用高阶统计量双相干系数平方和研究了nMOSFET噪声的非高斯性.通过对nMOSFET实际测试噪声的分析,发现nMOSFET器件噪声存在非高斯性;小尺寸器件噪声的非高斯性强于大尺寸器件;在器件的强反型线性区,其非高斯性随着漏压的增加而增加.文中还通过蒙特卡罗模拟和中心极限定理理论对nMOSFET、噪声的非高斯性作了深入的探讨.

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