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高迁移率聚合物薄膜晶体管

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刘玉荣, 王智欣, 虞佳乐, 徐海红. 2009: 高迁移率聚合物薄膜晶体管, 物理学报, 58(12): 8566-8570. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.069
引用本文: 刘玉荣, 王智欣, 虞佳乐, 徐海红. 2009: 高迁移率聚合物薄膜晶体管, 物理学报, 58(12): 8566-8570. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.069
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Liu Yu-Rong, Wang Zhi-Xin, Yu Jia-Le, Xu Hai-Hong. 2009: High mobility polymer thin-film transistors, Acta Physica Sinica, 58(12): 8566-8570. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.069
Citation: Liu Yu-Rong, Wang Zhi-Xin, Yu Jia-Le, Xu Hai-Hong. 2009: High mobility polymer thin-film transistors, Acta Physica Sinica, 58(12): 8566-8570. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.069
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高迁移率聚合物薄膜晶体管

  • 华南理工大学电子与信息学院,广州,510640

  • 华南理工大学应用物理系,广州,510640

High mobility polymer thin-film transistors

  • 摘要: 以高掺杂Si单晶片作为栅电极,热生长SiO_2作为栅介质层,聚三己基噻吩薄膜作为半导体活性层,Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质表面改性,在空气环境下成功地制备出高性能聚合物薄膜晶体管.结果表明,通过采用OTS对栅介质层表面修饰大幅度地改善了聚合物薄膜晶体管的电性能,器件的场效应迁移率高达0.02 cm~2,(Vs),开关电流比大于10~5.
    Abstract: Polymer-based thin film transistors (PTFTs) were successfully fabricated on silicon substrates which was used as gate electrode, thermal silicon dioxide was used as gate insulators and poly(3-hexylthiophene) as semiconducting active layers for the transistors. The fabrication and measurement of the devices were all performed in the clean air. The PTFTs with a surface modified gate insulator show better electric characteristics with the field-effect mobility of 0.02 cm~2//(Vs) and the on/off ratio higher than 10~5 .
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-12-30

高迁移率聚合物薄膜晶体管

  • 华南理工大学电子与信息学院,广州,510640
  • 华南理工大学应用物理系,广州,510640

摘要: 以高掺杂Si单晶片作为栅电极,热生长SiO_2作为栅介质层,聚三己基噻吩薄膜作为半导体活性层,Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质表面改性,在空气环境下成功地制备出高性能聚合物薄膜晶体管.结果表明,通过采用OTS对栅介质层表面修饰大幅度地改善了聚合物薄膜晶体管的电性能,器件的场效应迁移率高达0.02 cm~2,(Vs),开关电流比大于10~5.

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