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反式二丁烯和氢气流量比对辉光放电聚合物热稳定性能的影响

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阳志林, 何智兵, 宋之敏, 卢铁城, 张宝玲, 唐永建. 2010: 反式二丁烯和氢气流量比对辉光放电聚合物热稳定性能的影响, 强激光与粒子束, 22(5): 1044-1048. doi: 10.3788/HPLPB20102205.1044
引用本文: 阳志林, 何智兵, 宋之敏, 卢铁城, 张宝玲, 唐永建. 2010: 反式二丁烯和氢气流量比对辉光放电聚合物热稳定性能的影响, 强激光与粒子束, 22(5): 1044-1048. doi: 10.3788/HPLPB20102205.1044
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Yang Zhilin, He Zhibing, Song Zhimin, Lu Tiecheng, Zhang Baoling, Tang Yongjian. 2010: Influence of T2B/H2 flow ratio on thermal stability of glow discharge polymer prepared by low-pressure plasma chemical vapor deposition, High Power Lase and Particle Beams, 22(5): 1044-1048. doi: 10.3788/HPLPB20102205.1044
Citation: Yang Zhilin, He Zhibing, Song Zhimin, Lu Tiecheng, Zhang Baoling, Tang Yongjian. 2010: Influence of T2B/H2 flow ratio on thermal stability of glow discharge polymer prepared by low-pressure plasma chemical vapor deposition, High Power Lase and Particle Beams, 22(5): 1044-1048. doi: 10.3788/HPLPB20102205.1044
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反式二丁烯和氢气流量比对辉光放电聚合物热稳定性能的影响

  • 四川大学,物理科学与技术学院,成都,610065;中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900

  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900

  • 四川大学,物理科学与技术学院,成都,610065

Influence of T2B/H2 flow ratio on thermal stability of glow discharge polymer prepared by low-pressure plasma chemical vapor deposition

  • 摘要: 用低压等离子体化学气相沉积法,以T2B和H2为工作气源,改变 T2B与H2的流量比例制备了辉光放电聚合物(GDP)涂层.通过GDP碳氢涂层的傅里叶变换红外吸收光谱讨论了流量比例对其内部结构的影响,利用热重曲线表征了GDP碳氢涂层在50～600 ℃范围内的热失重情况,并且结合其结构讨论了流量比例变化对GDP碳氢涂层的热稳定性的影响,最后探讨了GDP碳氢涂层可能的热裂解过程.结果表明:随着T2B与H2流量比的增大,GDP碳氢涂层中C(sp2)-Hx/C(sp3)-Hx含量逐渐降低,-CH3含量增加,碳链逐渐变短而支链含量增加,其热稳定性逐渐变差.以T2B与H2流量比为0.04时,可以成功制备出ICF物理实验所需的靶丸烧蚀层.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-05-30

反式二丁烯和氢气流量比对辉光放电聚合物热稳定性能的影响

  • 四川大学,物理科学与技术学院,成都,610065;中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
  • 四川大学,物理科学与技术学院,成都,610065

摘要: 用低压等离子体化学气相沉积法,以T2B和H2为工作气源,改变 T2B与H2的流量比例制备了辉光放电聚合物(GDP)涂层.通过GDP碳氢涂层的傅里叶变换红外吸收光谱讨论了流量比例对其内部结构的影响,利用热重曲线表征了GDP碳氢涂层在50～600 ℃范围内的热失重情况,并且结合其结构讨论了流量比例变化对GDP碳氢涂层的热稳定性的影响,最后探讨了GDP碳氢涂层可能的热裂解过程.结果表明:随着T2B与H2流量比的增大,GDP碳氢涂层中C(sp2)-Hx/C(sp3)-Hx含量逐渐降低,-CH3含量增加,碳链逐渐变短而支链含量增加,其热稳定性逐渐变差.以T2B与H2流量比为0.04时,可以成功制备出ICF物理实验所需的靶丸烧蚀层.

English Abstract

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