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外加气流对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的影响

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王英龙, 罗青山, 邓泽超, 褚立志, 丁学成, 梁伟华, 陈超, 傅广生. 2010: 外加气流对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的影响, 强激光与粒子束, 22(9): 2199-2202. doi: 10.3788/HPLPB20102209.2199
引用本文: 王英龙, 罗青山, 邓泽超, 褚立志, 丁学成, 梁伟华, 陈超, 傅广生. 2010: 外加气流对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的影响, 强激光与粒子束, 22(9): 2199-2202. doi: 10.3788/HPLPB20102209.2199
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Wang Yinglong, Luo Qingshan, Deng Zechao, Chu Lizhi, Ding Xuecheng, Liang Weihua, Chen Chao, Fu Guangsheng. 2010: Influence of additional gas flow on size distribution of Si nanoparticles deposited by pulsed laser ablation, High Power Lase and Particle Beams, 22(9): 2199-2202. doi: 10.3788/HPLPB20102209.2199
Citation: Wang Yinglong, Luo Qingshan, Deng Zechao, Chu Lizhi, Ding Xuecheng, Liang Weihua, Chen Chao, Fu Guangsheng. 2010: Influence of additional gas flow on size distribution of Si nanoparticles deposited by pulsed laser ablation, High Power Lase and Particle Beams, 22(9): 2199-2202. doi: 10.3788/HPLPB20102209.2199
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外加气流对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的影响

  • 河北大学,物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室,河北,保定,071002

Influence of additional gas flow on size distribution of Si nanoparticles deposited by pulsed laser ablation

  • 摘要: 提出一种控制脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的新方法.在10 Pa的Ar环境中,采用脉冲激光烧蚀高阻抗单晶硅靶沉积制备了纳米Si晶薄膜.在羽辉正上方2.0 cm,距靶0.3～3.0 cm范围内的不同位置引入氩气流,在烧蚀点正下方2.0 cm处水平放置单晶Si(111)衬底来收集制备的纳米Si晶粒.利用扫描电子显微镜观察样品表面形貌,并对衬底不同位置上纳米Si晶粒进行统计.结果表明:在不引入气流时,晶粒的尺寸随靶衬间距的增加先增大后减小,晶粒尺寸峰值出现在距靶1.7 cm处;引入气流后,晶粒尺寸分布发生变化,在距靶1.7 cm引入气流时晶粒尺寸峰值最大,在距靶3.0 cm引入气流时晶粒尺寸峰值最小,且出现晶粒尺寸峰值的位置随着引入气流位置的增加而增大.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-09-30

外加气流对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的影响

  • 河北大学,物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室,河北,保定,071002

摘要: 提出一种控制脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的新方法.在10 Pa的Ar环境中,采用脉冲激光烧蚀高阻抗单晶硅靶沉积制备了纳米Si晶薄膜.在羽辉正上方2.0 cm,距靶0.3～3.0 cm范围内的不同位置引入氩气流,在烧蚀点正下方2.0 cm处水平放置单晶Si(111)衬底来收集制备的纳米Si晶粒.利用扫描电子显微镜观察样品表面形貌,并对衬底不同位置上纳米Si晶粒进行统计.结果表明:在不引入气流时,晶粒的尺寸随靶衬间距的增加先增大后减小,晶粒尺寸峰值出现在距靶1.7 cm处;引入气流后,晶粒尺寸分布发生变化,在距靶1.7 cm引入气流时晶粒尺寸峰值最大,在距靶3.0 cm引入气流时晶粒尺寸峰值最小,且出现晶粒尺寸峰值的位置随着引入气流位置的增加而增大.

English Abstract

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