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碳化硅纳米线的电子发射特性

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陈忠道, 白书欣, 李公义, 李效东, 万红. 2010: 碳化硅纳米线的电子发射特性, 强激光与粒子束, 22(12): 2945-2948. doi: 10.3788/HPLPB20102212.2945
引用本文: 陈忠道, 白书欣, 李公义, 李效东, 万红. 2010: 碳化硅纳米线的电子发射特性, 强激光与粒子束, 22(12): 2945-2948. doi: 10.3788/HPLPB20102212.2945
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Chen Zhongdao, Bai Shuxin, Li Gongyi, Li Xiaodong, Wan Hong. 2010: Intense electron emission of SiC nanowires cathode used in high power microwave, High Power Lase and Particle Beams, 22(12): 2945-2948. doi: 10.3788/HPLPB20102212.2945
Citation: Chen Zhongdao, Bai Shuxin, Li Gongyi, Li Xiaodong, Wan Hong. 2010: Intense electron emission of SiC nanowires cathode used in high power microwave, High Power Lase and Particle Beams, 22(12): 2945-2948. doi: 10.3788/HPLPB20102212.2945
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碳化硅纳米线的电子发射特性

  • 国防科学技术大学,航天与材料工程学院,长沙,410073

Intense electron emission of SiC nanowires cathode used in high power microwave

  • 摘要: 以聚碳硅烷为原料,通过1 200 ℃高温裂解工艺制备了碳化硅纳米线,并采用碳化硅纳米线作为高功率微波源用阴极材料,进行了电子发射实验.结果表明:与天鹅绒阴极材料相比,碳化硅纳米线具有更高的电子发射电流密度,在115 kV外加激励脉冲高压下,电子发射密度为23.7 kA/cm2,而天鹅绒材料为14.0 kA/cm2,并具有更好的电子发射品质及更长的使用寿命.因此碳化硅纳米线作为高功率微波源用阴极,具有很好的应用潜力.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-12-30

碳化硅纳米线的电子发射特性

  • 国防科学技术大学,航天与材料工程学院,长沙,410073

摘要: 以聚碳硅烷为原料,通过1 200 ℃高温裂解工艺制备了碳化硅纳米线,并采用碳化硅纳米线作为高功率微波源用阴极材料,进行了电子发射实验.结果表明:与天鹅绒阴极材料相比,碳化硅纳米线具有更高的电子发射电流密度,在115 kV外加激励脉冲高压下,电子发射密度为23.7 kA/cm2,而天鹅绒材料为14.0 kA/cm2,并具有更好的电子发射品质及更长的使用寿命.因此碳化硅纳米线作为高功率微波源用阴极,具有很好的应用潜力.

English Abstract

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