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中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析

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王靳君, 田野, 石瑞英, 龚敏, 温景超, 巫晓燕. 2011: 中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析, 强激光与粒子束, 23(10): 2763-2766. doi: 10.3788/HPLPB20112310.2763
引用本文: 王靳君, 田野, 石瑞英, 龚敏, 温景超, 巫晓燕. 2011: 中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析, 强激光与粒子束, 23(10): 2763-2766. doi: 10.3788/HPLPB20112310.2763
shu
Wang Jinjun, Tian Ye, Shi Ruiying, Gong Min, Wen Jingchao, Wu Xiaoyan. 2011: Mechanism of neutron- and electron-irradiation-induced phenomena of negative capacitance in NPN-BJT, High Power Lase and Particle Beams, 23(10): 2763-2766. doi: 10.3788/HPLPB20112310.2763
Citation: Wang Jinjun, Tian Ye, Shi Ruiying, Gong Min, Wen Jingchao, Wu Xiaoyan. 2011: Mechanism of neutron- and electron-irradiation-induced phenomena of negative capacitance in NPN-BJT, High Power Lase and Particle Beams, 23(10): 2763-2766. doi: 10.3788/HPLPB20112310.2763
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中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析

  • 四川大学物理科学与技术学院微电子学系,成都610064;四川大学物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,成都610064

Mechanism of neutron- and electron-irradiation-induced phenomena of negative capacitance in NPN-BJT

  • 摘要: 研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应.实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象；电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象.对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因；中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象；电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-10-30

中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析

  • 四川大学物理科学与技术学院微电子学系,成都610064;四川大学物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,成都610064

摘要: 研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应.实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象；电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象.对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因；中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象；电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大.

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