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4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性

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吴健, 雷家荣, 蒋勇, 陈雨, 荣茹, 范晓强. 2013: 4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性, 强激光与粒子束, 25(7): 1793-1797. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1793
引用本文: 吴健, 雷家荣, 蒋勇, 陈雨, 荣茹, 范晓强. 2013: 4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性, 强激光与粒子束, 25(7): 1793-1797. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1793
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Wu Jian, Lei Jiarong, Jiang Yong, Chen Yu, Rong Ru, Fan Xiaoqiang. 2013: Charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode, High Power Lase and Particle Beams, 25(7): 1793-1797. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1793
Citation: Wu Jian, Lei Jiarong, Jiang Yong, Chen Yu, Rong Ru, Fan Xiaoqiang. 2013: Charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode, High Power Lase and Particle Beams, 25(7): 1793-1797. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1793
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4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性

  • 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院中子物理重点实验室,四川绵阳621900

Charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode

  • 摘要: 针对极端环境下耐辐照半导体核探测器的研制需求,采用耐高温、耐辐照的4H碳化硅(4H-SiC)宽禁带材料制成肖特基二极管,研究了该探测器对241Am源α粒子的电荷收集效率.从电容-电压曲线得出该二极管外延层净掺杂数密度为1.99×1015/cm3.从正向电流-电压曲线获得该二极管肖特基势垒高度为1.66 eV,理想因子为1.07,表明该探测器具备良好的热电子发射特性.在反向偏压高达700 V时,该二极管未击穿,其漏电流仅为21 nA,具有较高的击穿电压.在反向偏压为0～350 V范围内研究了该探测器对3.5MeV α粒子电荷收集效率,在0V时为48.7％,在150 V时为99.4％,表明该探测器具有良好的电荷收集特性.
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出版历程
  • 刊出日期:  2013-07-30

4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性

  • 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院中子物理重点实验室,四川绵阳621900

摘要: 针对极端环境下耐辐照半导体核探测器的研制需求,采用耐高温、耐辐照的4H碳化硅(4H-SiC)宽禁带材料制成肖特基二极管,研究了该探测器对241Am源α粒子的电荷收集效率.从电容-电压曲线得出该二极管外延层净掺杂数密度为1.99×1015/cm3.从正向电流-电压曲线获得该二极管肖特基势垒高度为1.66 eV,理想因子为1.07,表明该探测器具备良好的热电子发射特性.在反向偏压高达700 V时,该二极管未击穿,其漏电流仅为21 nA,具有较高的击穿电压.在反向偏压为0～350 V范围内研究了该探测器对3.5MeV α粒子电荷收集效率,在0V时为48.7％,在150 V时为99.4％,表明该探测器具有良好的电荷收集特性.

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