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质子和中子在硅中位移损伤等效性计算

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王园明, 郭晓强, 罗尹虹, 陈伟, 王燕萍, 郭红霞, 张凤祁, 张科营, 王忠明. 2013: 质子和中子在硅中位移损伤等效性计算, 强激光与粒子束, 25(7): 1803-1806. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1803
引用本文: 王园明, 郭晓强, 罗尹虹, 陈伟, 王燕萍, 郭红霞, 张凤祁, 张科营, 王忠明. 2013: 质子和中子在硅中位移损伤等效性计算, 强激光与粒子束, 25(7): 1803-1806. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1803
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2013: Calculation of equivalence of proton and neutron displacement damage in silicon, High Power Lase and Particle Beams, 25(7): 1803-1806. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1803
Citation: 2013: Calculation of equivalence of proton and neutron displacement damage in silicon, High Power Lase and Particle Beams, 25(7): 1803-1806. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1803
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质子和中子在硅中位移损伤等效性计算

  • 西北核技术研究所,西安,710024

Calculation of equivalence of proton and neutron displacement damage in silicon

  • 摘要: 基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法.在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射.计算得到不同能量质子和中子在硅中因库仑散射和核反应产生反冲原子的非电离能量沉积及阻止本领的等效性,计算结果与中子ASTM标准及文献计算得到的质子数据符合很好.
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出版历程
  • 刊出日期:  2013-07-30

质子和中子在硅中位移损伤等效性计算

  • 西北核技术研究所,西安,710024

摘要: 基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法.在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射.计算得到不同能量质子和中子在硅中因库仑散射和核反应产生反冲原子的非电离能量沉积及阻止本领的等效性,计算结果与中子ASTM标准及文献计算得到的质子数据符合很好.

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