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半导体断路开关截断过程模拟的缩比模型

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林舒, 李永东, 王洪广, 刘纯亮. 2013: 半导体断路开关截断过程模拟的缩比模型, 强激光与粒子束, 25(9): 2341-2345. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2341
引用本文: 林舒, 李永东, 王洪广, 刘纯亮. 2013: 半导体断路开关截断过程模拟的缩比模型, 强激光与粒子束, 25(9): 2341-2345. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2341
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Lin Shu, Li Yongdong, Wang Hongguang, Liu Chunliang. 2013: Scaled model for simulating opening process of semiconductor opening switches, High Power Lase and Particle Beams, 25(9): 2341-2345. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2341
Citation: Lin Shu, Li Yongdong, Wang Hongguang, Liu Chunliang. 2013: Scaled model for simulating opening process of semiconductor opening switches, High Power Lase and Particle Beams, 25(9): 2341-2345. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2341
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半导体断路开关截断过程模拟的缩比模型

  • 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,西安,710049

Scaled model for simulating opening process of semiconductor opening switches

  • 摘要: 在维持电路参数同比变化和通过半导体断路开关(SOS)的电流密度不变的基础上,提出了一种SOS截断特性模拟的缩比模型,并可在Silvaco ATLAS软件中应用.在以不同的缩比率选取等效SOS横截面积的情况下,将原电路中串联的100个二极管等效为若干个二极管,模拟得到了相同的二极管电流和电压波形.模拟结果表明,该模型不仅可以得到正确的SOS瞬态截断过程,而且可将计算速度提高近百倍.通过对SOS截断过程中载流子分布和电场分布变化过程的分析发现,SOS的截断过程发生在n-n+区.
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出版历程
  • 刊出日期:  2013-09-30

半导体断路开关截断过程模拟的缩比模型

  • 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,西安,710049

摘要: 在维持电路参数同比变化和通过半导体断路开关(SOS)的电流密度不变的基础上,提出了一种SOS截断特性模拟的缩比模型,并可在Silvaco ATLAS软件中应用.在以不同的缩比率选取等效SOS横截面积的情况下,将原电路中串联的100个二极管等效为若干个二极管,模拟得到了相同的二极管电流和电压波形.模拟结果表明,该模型不仅可以得到正确的SOS瞬态截断过程,而且可将计算速度提高近百倍.通过对SOS截断过程中载流子分布和电场分布变化过程的分析发现,SOS的截断过程发生在n-n+区.

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